[實用新型]一種復合襯底結構

有效

• 申請號: 202022144764.1
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN212991102U
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 林志東;房育濤;張愷玄;劉波亭
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/20
• 分類號: H01L29/20;H01L33/30;H01L21/02
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 連耀忠;楊鍇

1.一種復合襯底結構，其特征在于，包括外延薄膜、復合襯底，復合襯底包括高阻襯底層、低阻襯底層，高阻襯底層與低阻襯底層設置為一體；外延薄膜生長于高阻襯底層的表面。

2.根據權利要求1所述的復合襯底結構，其特征在于，通過在低阻襯底層表面外延生長高阻層，獲得與低阻襯底層一體的高阻襯底層；或者，將高阻襯底層與低阻襯底層進行鍵合為一體。

3.根據權利要求1所述的復合襯底結構，其特征在于，還設置粘合層，高阻襯底層與低阻襯底層之間通過粘合層進行粘合為一體。

4.根據權利要求3所述的復合襯底結構，其特征在于，粘合層的厚度為0.01μm-10μm。

5.根據權利要求3所述的復合襯底結構，其特征在于，粘合層為二氧化硅層、鈦鉑雙層金屬層、高電阻率硅層、高電阻率碳化硅層、低電阻率硅層或低電阻率碳化硅層。

6.根據權利要求1所述的復合襯底結構，其特征在于，低阻襯底層的厚度大于高阻襯底層的厚度。

7.根據權利要求6所述的復合襯底結構，其特征在于，高阻襯底層的厚度為100μm-300μm，低阻襯底層的厚度為300μm-1000μm。

8.根據權利要求1所述的復合襯底結構，其特征在于，高阻襯底層朝向低阻襯底層的一側，通過離子注入轉性為一定厚度的低阻層。

9.根據權利要求1至8任一項所述的復合襯底結構，其特征在于，高阻襯底層為高電阻率硅襯底層或高電阻率碳化硅襯底層，低阻襯底層為低電阻率硅襯底層或低電阻率碳化硅襯底層。

10.根據權利要求8所述的復合襯底結構，其特征在于，低阻襯底層為低電阻率硅襯底層，高阻襯底層為高電阻率硅襯底層，外延薄膜為氮化鎵基薄膜，氮化鎵基薄膜的結構為依次設置的AlN層、AlGaN層、GaN層、AlGaN勢壘層、GaN帽層；或者，低阻襯底層為低電阻率碳化硅襯底層，高阻襯底層為高電阻率碳化硅襯底層，外延薄膜為氮化鎵基薄膜，氮化鎵基薄膜的結構為依次設置的AlN層、GaN層、AlGaN勢壘層、GaN帽層。