[實用新型]一種基于碳化硅的肖特基PIN二極管

有效

• 申請號: 202022141553.2
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN212783463U
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 陳利;陳譯;陳彬
• 申請（專利權）人: 廈門芯一代集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/868;H01L27/06
• 代理公司: 廈門荔信航知專利代理事務所(特殊普通合伙) 35247
• 代理人: 蘇娟

1.一種基于碳化硅的肖特基PIN二極管，其特征在于，包括：半導體襯底(1)，在半導體襯底(1)上的N型重摻雜區(2)，在N型重摻雜區(2)上的N型輕摻雜區(3)和低摻雜本征半導體區(4)，在N型輕摻雜區(3)上的金屬區(6)，在低摻雜本征半導體區(4)上的P型摻雜區(5)，在P型摻雜區(5)、低摻雜本征半導體區(4)和金屬區(6)的上表面的正極，在N型重摻雜區(2)上表面的負極，在N型輕摻雜區(3)上表面的硅氧化物絕緣區(7)。

2.根據權利要求1所述的一種基于碳化硅的肖特基PIN二極管，其特征在于，P型摻雜區(5)與N型重摻雜區(2)之間的低摻雜本征半導體區(4)的厚度比P型摻雜區(5)與金屬區(6)之間的低摻雜本征半導體區(4)的寬度小。

3.根據權利要求1所述的一種基于碳化硅的肖特基PIN二極管，其特征在于，金屬區(6)的材料為金屬銅材料或者金屬鋁材料或者貴金屬材料。

4.根據權利要求1所述的一種基于碳化硅的肖特基PIN二極管，其特征在于，該器件的正極和負極材料采用金屬銅材料或者金屬鋁材料。

5.根據權利要求1所述的一種基于碳化硅的肖特基PIN二極管，其特征在于，N型重摻雜區(2)的面積比N型輕摻雜區(3)的面積大。

6.根據權利要求1所述的一種基于碳化硅的肖特基PIN二極管，其特征在于，半導體襯底材料為半導體SiC基材料。