[實用新型]一種金屬-介質-石墨烯結構的超表面太赫茲寬帶吸收器

有效

• 申請號: 202022136651.7
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN214176240U
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 蒙紅云;沈鴻洋;劉鳳祥;譚春華;黃旭光
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00;H01Q15/00;G02B5/00
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 江裕強

1.一種金屬-介質-石墨烯結構的超表面太赫茲寬帶吸收器，其特征在于，包括金屬反射層、中間介質夾層和圖案化石墨烯結構；其中，圖案化石墨烯結構包括若干個超表面圖案化石墨烯周期單元；

若干個超表面圖案化石墨烯周期單元在中間介質夾層上表面周期性排列，形成共面層，金屬反射層緊貼于中間介質夾層下表面；圖案化石墨烯周期單元由一個石墨烯圓環四周中心挖去四個同等大小的小圓組成；

其中，所述石墨烯圓環的外環半徑R為6.45μm～6.65μm；所述石墨烯圓環的內環半徑r為2.0μm～2.1μm；石墨烯圓環四周中心挖去的小圓半徑p均為1.1μm～1.2μm。

2.根據權利要求1所述的一種金屬-介質-石墨烯結構的超表面太赫茲寬帶吸收器，其特征在于，所述金屬反射層的材料為金，其電導率為6.09×10^6S/m-6.45×10^6S/m，長度為43.5μm～46.5μm，寬度為43.5μm～46.5μm，厚度為0.35μm～0.55μm。

3.根據權利要求1所述的一種金屬-介質-石墨烯結構的超表面太赫茲寬帶吸收器，其特征在于，所述中間介質夾層的材料為二氧化硅，其相對介電常數為3.8～4.0，長度為43.5μm～46.5μm，寬度為43.5μm～46.5μm，厚度為27μm～29μm。

4.根據權利要求1所述的一種金屬-介質-石墨烯結構的超表面太赫茲寬帶吸收器，其特征在于，圖案化石墨烯結構中，相鄰的圖案化石墨烯周期單元之間的間隔距離為3.2μm～4.6μm。

5.根據權利要求1所述的一種金屬-介質-石墨烯結構的超表面太赫茲寬帶吸收器，其特征在于，所述石墨烯的費米能級為0.2eV～0.7eV。