[實用新型]一種金屬掩膜板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202022129679.8 | 申請日: | 2020-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN213357723U | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林少欽 | 申請(專利權(quán))人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;C23C14/14;C23C14/24;H01L51/56 |
| 代理公司: | 福州市景弘專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐劍兵 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 金屬 掩膜板 | ||
1.一種金屬掩膜板,其特征在于,包括:金屬掩膜板母板和多個金屬掩膜片,多個所述金屬掩膜片陣列設(shè)置于所述金屬掩膜板母板上;
所述金屬掩膜板母板上陣列設(shè)置有多個第一有效區(qū)開口,所述金屬掩膜片上陣列設(shè)置有多個第二有效區(qū)開口;所述第二有效區(qū)開口在所述金屬掩膜板母板上的正投影落入對應(yīng)的所述第一有效區(qū)開口內(nèi);
所述金屬掩膜板母板上還陣列設(shè)置有多個第一校正區(qū)開口,所述金屬掩膜片上還陣列設(shè)置有多個第二校正區(qū)開口;所述第二校正區(qū)開口在所述金屬掩膜板母板上的正投影落入對應(yīng)的所述第一校正區(qū)開口內(nèi);
每個所述金屬掩膜片上至少設(shè)置一個所述第二校正區(qū)開口;所述金屬掩膜片對應(yīng)的所述金屬掩膜板母板的區(qū)域上,至少設(shè)置一個與所述第二校正區(qū)開口對應(yīng)的所述第一校正區(qū)開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種金屬掩膜板,其特征在于,每個所述第一有效區(qū)開口的一側(cè)均設(shè)置有一個所述第一有效區(qū)開口,且每個所述第一校正區(qū)開口的一側(cè)均設(shè)置有一個所述第一校正區(qū)開口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述一種金屬掩膜板,其特征在于,還包括:設(shè)置于基板上的標(biāo)記,所述標(biāo)記置于所述第二校正區(qū)開口下方,且所述第二校正區(qū)開口在基板上正投影與所述標(biāo)記重合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述一種金屬掩膜板,其特征在于,每個所述金屬掩膜片上設(shè)置有一行的所述第二有效區(qū)開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種金屬掩膜板,其特征在于,所述金屬掩膜板母板包括:金屬框架和支撐板;所述支撐板置于所述金屬框架內(nèi),且所述第一有效區(qū)開口和第一校正區(qū)開口置于所述支撐板上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種金屬掩膜板,其特征在于,所述金屬掩膜片兩端還設(shè)置有缺口,所述金屬掩膜片通過缺口與所述金屬框架連接,且所述缺口用于調(diào)節(jié)所述金屬掩膜片在所述金屬掩膜板母板上的位置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





