[實(shí)用新型]一種控制晶圓彎曲度的設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202022129472.0
• 申請(qǐng)日: 2020-09-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN213124388U
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 涂文駿;陳松超;董洪旺;楚明;張高升
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/67
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 楊麗爽

1.一種控制晶圓彎曲度的設(shè)備，其特征在于，包括：

至少兩個(gè)反應(yīng)腔體，每個(gè)所述反應(yīng)腔體內(nèi)均設(shè)置有承載裝置，所述承載裝置用于承載晶圓；

供氣裝置，所述供氣裝置用于向每個(gè)所述反應(yīng)腔體內(nèi)供給反應(yīng)氣體；

每個(gè)所述反應(yīng)腔體和所述供氣裝置之間均設(shè)置有控制裝置，每個(gè)所述控制裝置分別用于控制所述供氣裝置向?qū)?yīng)的所述反應(yīng)腔體中供給反應(yīng)氣體，以控制所述晶圓的彎曲度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述控制裝置具體用于控制所述供氣裝置向?qū)?yīng)的所述反應(yīng)腔體中供給反應(yīng)氣體的流量和/或時(shí)間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其特征在于，所述反應(yīng)腔體的數(shù)量為四個(gè)，所述控制裝置的數(shù)量為四個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述控制裝置具體用于控制所述供氣裝置向?qū)?yīng)的所述反應(yīng)腔體中供給反應(yīng)氣體，以控制在所述晶圓凸起的一側(cè)沉積預(yù)設(shè)厚度的氮化硅薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述控制裝置具體用于控制所述供氣裝置向?qū)?yīng)的所述反應(yīng)腔體中供給反應(yīng)氣體，以控制在所述晶圓凹陷的一側(cè)沉積預(yù)設(shè)厚度的氧化硅薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的設(shè)備，其特征在于，所述預(yù)設(shè)厚度是根據(jù)所述晶圓的彎曲度前值確定的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備用于3D-NAND存儲(chǔ)器所在晶圓的彎曲度的控制。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述控制裝置為安裝于所述供氣裝置的供氣管道上的流量閥。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述承載裝置中設(shè)置有加熱裝置，所述加熱裝置用于對(duì)所述晶圓進(jìn)行加熱。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，每個(gè)所述控制裝置連接至中央處理器，所述中央處理器分別獲取每個(gè)反應(yīng)腔體內(nèi)是否放置有晶圓以及晶圓的彎曲度前值，并向?qū)?yīng)的所述控制裝置發(fā)送控制信息，以便每個(gè)所述控制裝置分別控制所述供氣裝置向?qū)?yīng)的所述反應(yīng)腔體中供給反應(yīng)氣體。