[實用新型]單晶硅生長用高純石英熱屏有效
| 申請號： | 202022126130.3 | 申請日： | 2020-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN213327925U | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發明（設計）人： | 賈建亮;賈建恩;代祥斌 | 申請（專利權）人： | 廊坊赫爾勞斯太陽能光伏有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/14 | 分類號： | C30B15/14 |
| 代理公司： | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 姚朝權 |
| 地址： | 065300 河北省廊坊*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單晶硅 生長 高純 石英 | ||
1.單晶硅生長用高純石英熱屏，包括石墨外導流筒(1)，沿所述石墨外導流筒(1)的頂部開口向外側延伸設有操作環(7)；其特征是：還包括高純石英熱屏(2)、定位環槽(3)、石墨碳氈層(4)、填充腔(5)；在所述石墨外導流筒(1)內部的底面開設有呈向下凹陷狀的所述定位環槽(3)，所述高純石英熱屏(2)從所述石墨外導流筒(1)的頂部開口放置入所述石墨外導流筒(1)的內部且所述高純石英熱屏(2)的底部嵌入所述定位環槽(3)的內部；在所述高純石英熱屏(2)的外壁和石墨外導流筒(1)的內壁之間隔有所述填充腔(5)，在所述填充腔(5)的內部填充有所述石墨碳氈層(4)；在所述石墨外導流筒(1)和高純石英熱屏(2)的頂部開口處鋪蓋固定有上壓蓋(6)，在所述上壓蓋(6)的四周設有封閉環(6.1)。
2.根據權利要求1所述的單晶硅生長用高純石英熱屏，其特征是：所述石墨外導流筒(1)和高純石英熱屏(2)均為上寬下窄的空腔圓臺結構。
3.根據權利要求1所述的單晶硅生長用高純石英熱屏，其特征是：所述定位環槽(3)的四周側壁與所述高純石英熱屏(2)的四周側壁的傾斜度相匹配。
4.根據權利要求1所述的單晶硅生長用高純石英熱屏，其特征是：所述高純石英熱屏(2)的高度與石墨外導流筒(1)的筒內高度相匹配。
5.根據權利要求1所述的單晶硅生長用高純石英熱屏，其特征是：所述上壓蓋(6)的直徑與石墨外導流筒(1)的直徑相匹配，所述封閉環(6.1)的寬度為石墨外導流筒(1)的筒壁厚度加上高純石英熱屏(2)的厚度再加上填充腔(5)的寬度的總和。
6.根據權利要求1所述的單晶硅生長用高純石英熱屏，其特征是：所述封閉環(6.1)的外壁為豎直邊，所述封閉環(6.1)的內壁邊為與所述石墨外導流筒(1)的內壁傾斜度相銜接的斜邊。
7.根據權利要求1所述的單晶硅生長用高純石英熱屏，其特征是：所述上壓蓋(6)通過石墨螺栓固定。
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