[實用新型]異質結太陽能電池及光伏組件有效
| 申請號: | 202022123849.1 | 申請日: | 2020-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN212848454U | 公開(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發明(設計)人: | 姚遠洲;吳堅;蔣方丹 | 申請(專利權)人: | 嘉興阿特斯光伏技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/072 | 分類號: | H01L31/072;H01L31/0236 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 張煒平 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉興市秀洲區高照街*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 異質結 太陽能電池 組件 | ||
本實用新型提供了一種異質結太陽能電池及光伏組件,其中所涉及的異質結太陽能電池包括單晶硅襯底,所述單晶硅襯底的受光面與背光面均為金字塔絨面,所述單晶硅襯底受光面的金字塔數量大于所述單晶硅襯底背光面的金字塔數量;在本實用新型所提供的異質結太陽能電池結構中,單晶硅襯底受光面由于金字塔數量相對較多具有較優的光學吸收效果,單晶硅襯底背光面由于金字塔數量相對較少有助于提高異質結太陽能電池背光面一側的鈍化效果,本實用新型所提供的異質結太陽能電池兼顧了光學吸收效果與鈍化效果,能夠有效優化異質結太陽能電池的光電轉化性能。
技術領域
本實用新型涉及光伏制造領域,尤其涉及一種異質結太陽能電池及光伏組件。
背景技術
常規的化石燃料日益消耗且造成環境污染,太陽能作為一種替代化石燒料的可持續綠色能源得到快速發展。異質結太陽能電池是目前一種較為高效的晶硅太陽能電池,其結合了晶體硅電池和硅基薄膜電池的特征,具有制造流程短、工藝溫度低、轉換效率高和發電量多等優點。圖1所示為現有技術所涉及異質結太陽能電池的結構示意圖,其自上至下依次包括第一集電極51'、第一透明導電膜層41'、第一摻雜非晶層31'、第一本征非晶層21'、單晶硅襯底10'、第二本征非晶層22'、第二摻雜非晶層32'、第二透明導電膜層42'、第二集電極52'。
參考圖2所示,現有技術中所涉及單晶硅襯底10'的受光面101'金字塔絨面與背光面102'金字塔絨面形態基本一致,即兩表面的金字塔數量基本一致。此外,現有技術所涉及異質結太陽能電池位于單晶硅襯底10'兩側的非晶層通常為對稱設計,即第一本征非晶層21'與第二本征非晶層22'厚度一致,第一摻雜非晶層31'與第二摻雜非晶層32'厚度一致。基于這些設計方式,異質結太陽能電池的電池性能難以進一步提高。
有鑒于此,有必要提供一種改進的技術方案以解決上述問題。
實用新型內容
本實用新型旨在至少解決現有技術存在的技術問題之一,為實現上述實用新型目的,本實用新型提供了一種異質結太陽能電池,其具體設計方式如下。
一種異質結太陽能電池,包括單晶硅襯底,所述單晶硅襯底的受光面與背光面均為金字塔絨面,所述單晶硅襯底受光面上單位面積內的金字塔數量大于所述單晶硅襯底背光面上單位面積內的金字塔數量。
進一步,于所述單晶硅襯底受光面的單位面積內,費雷特直徑在1μm-2μm范圍內的金字塔數量占總金字塔數量的比值為40%-60%。
進一步,于所述單晶硅襯底受光面的單位面積內,費雷特直徑在1μm-1.5μm范圍內的金字塔數量占比為20%-40%,費雷特直徑在1.5μm-2μm范圍內的金字塔數量占比為20%-40%。
進一步,于所述單晶硅襯底受光面的單位面積內,費雷特直徑小于1μm的金字塔數量占比不大于10%,費雷特直徑在2μm-2.5μm范圍內的金字塔數量占比為5%-25%,費雷特直徑大于2.5μm的金字塔數量占比小于5%。
進一步,于所述單晶硅襯底受光面的單位面積內,金字塔的費雷特直徑均不大于3μm。
進一步,于所述單晶硅襯底背光面的單位面積內,費雷特直徑在1.5μm-2.5μm范圍內的金字塔數量占總金字塔數量的比值為30%-70%。
進一步,于所述單晶硅襯底背光面的單位面積內,費雷特直徑在1.5μm-2μm范圍內的金字塔數量占比為10%-30%,費雷特直徑在2μm-2.5μm范圍內的金字塔數量占比為20%-40%。
進一步,于所述單晶硅襯底背光面的單位面積內,費雷特直徑小于1μm的金字塔數量占比不大于10%,費雷特直徑在1μm-1.5μm范圍內的金字塔數量占比為10%-20%,費雷特直徑在2.5μm-3μm范圍內的金字塔數量占比為5%-20%,費雷特直徑大于3μm的金字塔數量占比小于5%。
進一步,于所述單晶硅襯底的背光面,金字塔的費雷特直徑均不大于4μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





