[實用新型]一種VCSEL激光器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202022069472.6 | 申請日： | 2020-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN212485795U | 公開（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李峰柱;韓效亞;杜石磊;羅桂蘭 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門乾照半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/10 | 分類號： | H01S5/10;H01S5/183;H01S5/20;H01S5/34 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 361001 福建省廈門市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 vcsel 激光器 | ||
1.一種VCSEL激光器，其特征在于，包括：
襯底；
設(shè)置于所述襯底表面的發(fā)光結(jié)構(gòu)；所述發(fā)光結(jié)構(gòu)至少包括沿第一方向依次堆疊的N型DBR層、N型波導(dǎo)限制層、量子阱、P型波導(dǎo)限制層、P型氧化界面截止層、金屬納米層及P型DBR層；所述金屬納米層的自由振動頻率與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的入射光光子頻率相匹配，使發(fā)光結(jié)構(gòu)的表面形成等離激元共振效應(yīng)，并構(gòu)建形成拓?fù)涠S光子晶體；所述第一方向垂直于所述襯底，并由所述襯底指向所述發(fā)光結(jié)構(gòu)；
歐姆接觸層，所述歐姆接觸層層疊于所述P型DBR層背離所述金屬納米層的一側(cè)表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL激光器，其特征在于，所述金屬納米層包括分散壓印形成的若干個金屬納米粒子，或包括由透明介質(zhì)層及分散于透明介質(zhì)層中的若干個金屬納米粒子所構(gòu)成的納米復(fù)合層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的VCSEL激光器，其特征在于，所述金屬納米粒子呈圓形或橢圓形或多邊形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的VCSEL激光器，其特征在于，所有所述金屬納米粒子在所述襯底上的投影面積總和與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)在所述襯底上的投影面積的比例取值范圍為20％-60％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL激光器，其特征在于，所述P型DBR層和/或N型DBR層包括折射率不同的若干個子DBR層；且，所述P型DBR層和N型DBR層的厚度為λ/4，其中，λ為所述VCSEL芯片的光源波長。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廈門乾照半導(dǎo)體科技有限公司，未經(jīng)廈門乾照半導(dǎo)體科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202022069472.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種新型高效移載系統(tǒng)
- 下一篇：一種二維平移門
