[實用新型]一種新型MOS管隔離驅動電路

有效

• 申請號: 202022068512.5
• 申請日: 2020-09-21
• 公開（公告）號: CN212323981U
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 周道龍;何宇;項亞南
• 申請（專利權）人: 江蘇信息職業技術學院
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 無錫萬里知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32263
• 代理人: 王傳林

本實用新型涉及開關電源技術領域，具體涉及一種新型MOS管隔離驅動電路，它包括Si8271芯片、圖騰柱驅動電路、MOS管，Si8271芯片與圖騰柱驅動電路連接，圖騰柱驅動電路與MOS管連接，Si8271芯片的一個控制引腳上接入PWM波信號，Si8271芯片的一個控制引腳接入使能信號。本實用新型的有益效果為：電路結構簡單、通用性好、可靠性高，便于直接進行移植設計，工作時穩定可靠。

技術領域

本實用新型涉及開關電源技術領域，特別是涉及一種新型MOS管隔離驅動電路。

背景技術

開關電源作為一種高效電源已廣泛應用于工農業、軍工、航空航天、醫療、商業等諸多領域，MOS管作為開關電源的核心器件，能否安全可靠的工作成為影響開關電源性能的重要因素，而MOS管的驅動電路則對MOS管的能否正常工作有著決定性的影響，在很多開關電源電路中，為了保護核心控制CPU和其他重要器件，需要將MOS管的強弱電路進行隔離，這時就需要用到MOS管的隔離驅動電路。

傳統的MOS管隔離驅動主要兩種方法，一種是采用變壓器隔離，如圖6所示，對于采用變壓器的隔離驅動電路來說，雖然可以起到MOS管的強弱電的隔離作用，但是其缺點也很多：電路結構復雜，需要多級串聯；由于驅動變壓器存在偏磁問題，需要加入隔直電容，增加了設計難度，而且即使采用了隔直電容，也依然存在偏磁現象；對電路的參數設計比較苛刻，電路的通用性差；可能會出現燒毀MOS管的問題。

另一種是采用光耦隔離，如圖7所示，對于采用光耦的隔離驅動電路來說，雖然與隔離變壓器驅動電路相比有一定優勢，但是其缺點也很多：由于開關電源的MOS管工作頻率較高，必須選用高速光耦，高速光耦的電流傳輸比(CTR)對其輸入電流IF、環境溫度和長時間工作較為敏感，也更易受環境影響，造成驅動電路的不穩定；同樣也存在電路結構仍然較為復雜，通用性差的問題。

針對以上兩種MOS管隔離驅動電路的缺點，本實用新型提出了一種新的MOS管隔離驅動電路，它具有結構簡單、通用性好、可靠性高等特點。

實用新型內容

針對上述情況，為克服現有技術之缺陷，本實用新型之目的在于提供一種新型MOS管隔離驅動電路，其具有結構簡單、通用性好、可靠性高的優點。

本實用新型的上述技術目的是通過以下技術方案得以實現的：

一種新型MOS管隔離驅動電路，包括Si8271芯片、圖騰柱驅動電路、MOS管，所述Si8271芯片與圖騰柱驅動電路連接，所述圖騰柱驅動電路與MOS管連接，所述Si8271芯片的一個控制引腳上接入PWM波信號，所述Si8271芯片的一個控制引腳接入使能信號，所述Si8271芯片的一個控制引腳上連接有輸入電源V_S，所述Si8271芯片的一個控制引腳接地。

進一步地，還包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一三極管、第二三極管、輸出電源V_D，所述第一電阻連接安裝在Si8271芯片上，所述第一三極管、第二三極管的基極分別連接在第一電阻上，所述第一三極管、第二三極管的發射極互相連接，且一并連接于第二電阻，所述第二三極管的集電極連接于Si8271芯片，所述第一三極管的集電極連接于輸出電源V_D,所述Si8271芯片同樣與輸出電源V_D連接。

進一步地，所述第二電阻、第三電阻連接于MOS管，所述第三電阻的另一端與第二三極管的集電極連接，所述第三電阻接入在MOS管上。

綜上所述，本實用新型具有以下有益效果：

1.電路結構簡單；相對于采用變壓器隔離和采用光耦隔離的MOS管驅動電路來說，本電路只有兩級結構，整個電路的核心只需一個Si8271芯片和兩個三極管，外加三個電阻，電路結構非常簡單，便于設計。