[實用新型]銅排組件及電機控制器

有效

• 申請號: 202022008279.1
• 申請日: 2020-09-14
• 公開（公告）號: CN213094567U
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 唐曙華;王才兵
• 申請（專利權）人: 蘇州匯川聯合動力系統有限公司
• 主分類號: H05K1/11
• 分類號: H05K1/11;H05K3/40
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 陸軍

本實用新型提供了一種銅排組件及電機控制器，所述銅排組件包括絕緣主體，在所述絕緣主體內包覆有導電銅排，所述導電銅排與銅排引腳相接，所述銅排引腳伸出于所述絕緣主體的表面，還包括貫穿所述絕緣主體的導引孔，所述導引孔包括位于所述絕緣主體的上表面的第一開口、位于所述絕緣主體的下表面的第二開口以及位于所述第一開口和第二開口之間的孔壁，待插接引腳插入所述導引孔的第二開口，并沿著所述孔壁從所述第一開口伸出，使所述待插接引腳與所述銅排引腳之間保持相對固定的位置。本實用新型實施例可同時把多個待插接引腳同時導入到印制電路板的焊孔內，大大提高印制電路板的裝配效率。

技術領域

本實用新型實施例涉及電力電子技術領域，更具體地說，涉及一種銅排組件及電機控制器。

背景技術

晶體管(transistor)是一種固體半導體器件(包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等)，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關不同，晶體管利用電信號來控制自身的開合，而且開關速度非常快，切換速度可達100GHz以上。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導體場效應晶體管)的高輸入阻抗和GTR(Giant Transistor，電力晶體管)的低導通壓降兩方面的優點，非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

在分布式IGBT電控系統(例如電機控制器)中，為保證IGBT正常工作，需將IGBT工作時產生的熱量快速散去。目前，為實現IGBT的散熱，通常將各個IGBT單管(或者IGBT模塊)安裝到散熱器上，同時，為實現對IGBT單管的通斷控制，需要將各個IGBT的控制信號引腳插入到電路板上，并與電路板通過焊接方式連接。

如圖1所示，現有的分布式IGBT電控系統在IGBT單管裝配時，先將IGBT單管固定到散熱器(該散熱器安裝在箱體內)，然后將疊層母排13的引腳與IGBT單管的引腳121一起插接到電路板，并與電路板11焊接固定。由于IGBT單管的數量較多，其引腳121的數量也較多，并且各個IGBT單管的引腳121位置偏差較大，導致在將IGBT單管的引腳121插入到電路板11的各個焊孔時非常困難，往往需要調配較長時間，不僅費時費力，而且無法實現批量裝配。

實用新型內容

本實用新型實施例針對上述分布式IGBT電控系統中，因IGBT單管及疊層銅排的引腳數量較多且位置偏差較大，而導致電路板裝配費時費力、無法實現批量裝配的問題，提供一種銅排組件及電機控制器。

本實用新型實施例解決上述技術問題的技術方案是，提供一種銅排組件，包括絕緣主體，在所述絕緣主體內包覆有導電銅排，所述導電銅排與銅排引腳相接，所述銅排引腳伸出于所述絕緣主體的表面，還包括貫穿所述絕緣主體的導引孔，所述導引孔包括位于所述絕緣主體的上表面的第一開口、位于所述絕緣主體的下表面的第二開口以及位于所述第一開口和第二開口之間的孔壁，待插接引腳插入所述導引孔的第二開口，并沿著所述孔壁從所述第一開口伸出，使所述待插接引腳與所述銅排引腳之間保持相對固定的位置。

優選地，所述孔壁的橫截面至少存在一部分：從相對遠離所述第二開口的一側至接近所述第一開口的一側逐漸收窄。

優選地，所述第一開口和/或第二開口的形狀與所述待插接引腳的形狀相適應，所述孔壁為斜面或者錐面或者球面。

優選地，所述導引孔與所述銅排引腳相鄰設置。

優選地，所述銅排引腳設置于所述導引孔內，并與所述待插接引腳平行或者接觸。