[實用新型]非對稱電壓的雙路單向TVS保護器件

有效

• 申請號: 202021991640.0
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN212725314U
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 劉宗賀
• 申請（專利權）人: 深圳長晶微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/861
• 代理公司: 深圳市宏德雨知識產權代理事務所(普通合伙) 44526
• 代理人: 李捷

1.一種非對稱電壓的雙路單向TVS保護器件，其特征在于，包括：

N型襯底；

第一P型雜質，設置在所述N型襯底一端，所述第一P型雜質外側被N型襯底包裹，第一P型雜質一端露出N型襯底，另一端沉入N型襯底中；

第二P型雜質，與所述第一P型雜質并列設置在所述N型襯底一端，且與第一P型雜質之間存在間隙，所述第二P型雜質外側被N型襯底包裹，第二P型雜質一端露出N型襯底，另一端沉入N型襯底中；

N型摻雜，設置在所述第一P型雜質上，所述N型摻雜外側被第一P型雜質包裹，N型摻雜一端露出第一P型雜質，另一端沉入第一P型雜質；

表面結構，設置在所述N型襯底一端，與所述第一P型雜質在同一側，用于鈍化隔離以及封裝電極焊接導電；

第一金屬電極，設置在所述N型襯底遠離所述第一P型雜質的一端，用于封裝電極焊接導電。

2.根據權利要求1所述的非對稱電壓的雙路單向TVS保護器件，其特征在于，所述表面結構包括：

鈍化層，設置在所述N型襯底一端，與所述第一P型雜質在同一側，所述鈍化層接觸N型襯底、第一P型雜質和第二P型雜質，用于保護第一P型雜質、第二P型雜質和N型襯底所形成的PN結，中部設置有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔靠近第一P型雜質，用于露出第一P型雜質，所述第二通孔靠近第二P型雜質，用于露出第二P型雜質；

第二金屬電極，覆蓋在所述鈍化層表面，覆蓋在所述第一P型雜質和N型摻雜表面，包括第一接電極和第一連接部，所述第一連接部凸出所述第一接電極連接在第一通孔內，第一連接部接觸所述第一P型雜質和N型摻雜，所述第二金屬電極與N型襯底之間通過鈍化層隔離；

第三金屬電極，覆蓋在所述鈍化層表面，覆蓋在所述第二P型雜質表面，包括第三接電極和第三連接部，所述第三連接部凸出所述第三接電極連接在第二通孔內，第三連接部接觸所述第二P型雜質，所述第三金屬電極與N型襯底之間存在間隙通過鈍化層隔離。

3.根據權利要求2所述的非對稱電壓的雙路單向TVS保護器件，其特征在于，所述鈍化層與所述N型摻雜之間存在間隙，所述第三金屬電極與所述第二金屬電極之間存在間隙。

4.根據權利要求1所述的非對稱電壓的雙路單向TVS保護器件，其特征在于，所述N型襯底厚度為180-360μm。

5.根據權利要求1所述的非對稱電壓的雙路單向TVS保護器件，其特征在于，所述第一P型雜質的厚度為20-60μm，所述第二P型雜質的厚度為20-60μm。

6.根據權利要求1所述的非對稱電壓的雙路單向TVS保護器件，其特征在于，所述N型襯底和所述第二P型雜質接觸處形成第一PN結，N型襯底和所述第一P型雜質接觸處形成第二PN結，第一P型雜質和所述N型摻雜接觸處形成第三PN結。

7.根據權利要求6所述的非對稱電壓的雙路單向TVS保護器件，其特征在于，所述第一PN結和第二PN結之間有間隙，第二PN結和所述第三PN結之間有間隙。

8.根據權利要求1所述的非對稱電壓的雙路單向TVS保護器件，其特征在于，所述第一P型雜質和第二P型雜質的橫截面面積大小一致。

9.根據權利要求1所述的非對稱電壓的雙路單向TVS保護器件，其特征在于，所述N型摻雜的厚度小于所述第一P型雜質的厚度，N型摻雜露出第一P型雜質的一端與第一P型雜質表面平齊，N型摻雜沉入第一P型雜質一端與第一P型雜質沉入所述N型襯底一端存在間隙。

10.根據權利要求1所述的非對稱電壓的雙路單向TVS保護器件，其特征在于，所述N型襯底為塊狀，上下對稱，N型襯底一端與第一P型雜質、第二P型雜質、N型摻雜平齊。