[實用新型]一種CT探測器加熱條驅(qū)動電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021978716.6
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN212433620U
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 方澤莉;周彬奇;朱炯;黃振強
• 申請（專利權(quán)）人: 明峰醫(yī)療系統(tǒng)股份有限公司
• 主分類號: G05B19/042
• 分類號: G05B19/042;G01N23/046
• 代理公司: 紹興市越興專利事務(wù)所(普通合伙) 33220
• 代理人: 蔣衛(wèi)東

本實用新型提供了一種CT探測器加熱條驅(qū)動電路，涉及CT探測器技術(shù)領(lǐng)域，包括MCU、與MCU連接的MOSFET驅(qū)動芯片、與MOSFET驅(qū)動芯片連接的MOSFET器件、以及與MOSFET器件連接的加熱條電路；MCU輸出控制信號控制MOSFET驅(qū)動芯片輸出高電平或低電平，從而控制MOSFET導(dǎo)通或關(guān)閉，最終控制加熱條的加熱或停止加熱；MOSFET驅(qū)動芯片帶有快速關(guān)斷電路和光耦隔離電路。本實用新型驅(qū)動電路不需要給MOSFET驅(qū)動電路本身增加額外的電源，同時MOSFET驅(qū)動芯片內(nèi)部集成了快速關(guān)斷電路，不需要額外增加器件去實現(xiàn)MOSFET的關(guān)斷，因此可以在節(jié)省空間的同時，大幅降低成本，維護簡單；且本實用新型采用具有快速關(guān)斷電路的MOSFET驅(qū)動芯片，減少MOSFET的關(guān)斷時間，保證加熱功率，從而可保證探測器溫度穩(wěn)定。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種溫度控制電路，尤其涉及一種CT探測器加熱條驅(qū)動電路，屬于CT探測器技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

CT探測器是CT的核心部件之一，也是最昂貴的部件之一。探測器性能決定著CT圖像的品質(zhì)，工作在恒定的溫度是CT探測器獲得良好圖像的前提，因此一個可靠的溫度控制方案就格外重要。探測器的溫度控制比較復(fù)雜，跟控制電路、控制算法、探測器的結(jié)構(gòu)等緊密相關(guān)。每種特定的CT探測器結(jié)構(gòu)需要匹配特定的控制算法和控制電路。結(jié)構(gòu)與控制系統(tǒng)越復(fù)雜，控制的效果可能會更好，但成本一定會更高，維護難度會更大。

目前CT探測器存在加熱電路功率不足的問題，一般通過增加加熱條的個數(shù)和加熱驅(qū)動電路的個數(shù)，增加總加熱功率，從而使每個驅(qū)動電路的功率降低，很顯然，這種方式會大大增加成本。

基于此，做出本申請。

實用新型內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，本實用新型提供了一種CT探測器加熱條驅(qū)動電路，可保證探測器溫度穩(wěn)定的前提下大幅降低成本，且維護簡單。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采取的技術(shù)方案如下：

一種CT探測器加熱條驅(qū)動電路，包括MCU、與MCU連接的MOSFET驅(qū)動芯片、與MOSFET驅(qū)動芯片連接的MOSFET器件、以及與MOSFET器件連接的加熱條電路；MCU輸出控制信號控制MOSFET驅(qū)動芯片輸出高電平或低電平，從而控制MOSFET導(dǎo)通或關(guān)閉，最終控制加熱條的加熱或停止加熱；所述MOSFET驅(qū)動芯片帶有快速關(guān)斷電路和光耦隔離電路。

進一步地，還包括與加熱條電路、MOSFET和MCU連接的監(jiān)控電路，監(jiān)控信號是否異常，一旦異常則反饋給MCU，由MCU控制發(fā)熱條停止加熱。

進一步地，所述MOSFET設(shè)有兩只，分別為Q1和Q2，Q1和Q2并聯(lián)。

進一步地，所述MCU的控制輸出端與MOSFET驅(qū)動芯片的輸入端之間連接有三極管，MCU輸出PWM_Control信號，通過三極管控制MOSFET驅(qū)動芯片的輸出占空比，MOSFET驅(qū)動芯片輸出信號PWM_Drive控制MOSFET。

進一步地，還設(shè)有與MOSFET并聯(lián)的二極管。為使CT探測器從冷卻狀態(tài)迅速達到額定溫度狀態(tài)，需要探測器的加熱裝置功率足夠大。本實用新型加大加熱功率，采用兩只MOSFET器件作為加熱條的開關(guān)電路，不僅提高了加熱電路的驅(qū)動功率，縮短探測器到達熱穩(wěn)定的時間。

更進一步地，單個所述MOSFET的最大通過電流為12A，兩只MOSFET并聯(lián)可實現(xiàn)的驅(qū)動電流最大可達24A。通過大功率MOSFET作為開關(guān)器件，將兩個MOSFET并聯(lián)，使整體電路的驅(qū)動功率增大。使用專用的MOSFET驅(qū)動芯片，同時驅(qū)動兩只同型號的MOSFET，保證兩個MOSFET同時開啟和同時關(guān)斷，防止開關(guān)不同步導(dǎo)致的電流分配不均勻。

本實用新型的原理和有益技術(shù)效果：