[實用新型]一種高效功率半導(dǎo)體組合器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202021935905.5 | 申請日： | 2020-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN212850441U | 公開（公告）日： | 2021-03-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王一鳴;張波;魏萬騰 | 申請（專利權(quán)）人： | 錦浪科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/567 | 分類號： | H03K17/567;H02M1/00 |
| 代理公司： | 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 張靜汝 |
| 地址： | 315700 浙江省寧波市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高效 功率 半導(dǎo)體 組合 器件 | ||
1.一種高效功率半導(dǎo)體組合器件，其特征在于：包括MOS管、IGBT管和DIODE管，所述MOS管、IGBT管和DIODE管相互并聯(lián)，所述MOS管的柵極和IGBT管的門極為高效功率半導(dǎo)體組合器件的驅(qū)動端，所述MOS管和IGBT管同時驅(qū)動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高效功率半導(dǎo)體組合器件，其特征在于：所述MOS管的漏極、IGBT管的集電極和DIODE管的陰極相連，MOS管的源極、IGBT管的發(fā)射極和DIODE管的陽極相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高效功率半導(dǎo)體組合器件，其特征在于：所述MOS管的漏極、IGBT管的集電極和DIODE管的陰極通過低感導(dǎo)線相連、或通過集成電路板相連、或直接相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高效功率半導(dǎo)體組合器件，其特征在于：所述MOS管的源極、IGBT管的發(fā)射極和DIODE管的陽極通過低感導(dǎo)線相連、或通過集成電路板相連、或直接相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高效功率半導(dǎo)體組合器件，其特征在于：所述MOS管、IGBT管和DIODE管集成封裝。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的高效功率半導(dǎo)體組合器件，其特征在于：所述MOS管為SiC MOSFET管，IGBT管為Si IGBT管，DIODE管為SiC DIODE管。
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