[實用新型]一種結構光調制的暗場顯微缺陷三維測量系統

有效

• 申請號: 202021935252.0
• 申請日: 2020-09-07
• 公開（公告）號: CN212228770U
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 李璐璐;劉乾;黃小津;張輝
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院機械制造工藝研究所
• 主分類號: G01N21/958
• 分類號: G01N21/958;G01N21/88;G01B11/25
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 唐邦英

1.一種結構光調制的暗場顯微缺陷三維測量系統，其特征在于，包括光源(1)、空間光調制器(2)、第一透鏡(3)、分光鏡(4)、顯微物鏡(5)、第二透鏡(9)、第三透鏡(10)、濾波器(11)、第四透鏡(12)和CCD(13)；

所述空間光調制器(2)用于接收光源(1)發出的光并調制成結構光；

所述空間光調制器(2)調制的結構光依次經過第一透鏡(3)、分光鏡(4)和顯微物鏡(5)微縮投影至樣品(6)上并在樣品(6)上反射形成零級光(14)和一級光(15)；

所述零級光(14)依次經過顯微物鏡(5)、第二透鏡(9)和第三透鏡(10)達到濾波器(11)；

所述一級光(15)依次經過顯微物鏡(5)、第二透鏡(9)、第三透鏡(10)和第四透鏡(12)到達CCD(13)成像。

2.根據權利要求1所述的一種結構光調制的暗場顯微缺陷三維測量系統，其特征在于，所述濾波器(11)置于第三透鏡(10)和第四透鏡(12)之間。

3.根據權利要求2所述的一種結構光調制的暗場顯微缺陷三維測量系統，其特征在于，所述第三透鏡(10)的后焦面和第四透鏡(12)的前焦面重合形成頻譜面，所述濾波器(11)位于頻譜面上。

4.根據權利要求1所述的一種結構光調制的暗場顯微缺陷三維測量系統，其特征在于，所述濾波器(11)的尺寸小于CCD(13)的孔徑尺寸。

5.根據權利要求1所述的一種結構光調制的暗場顯微缺陷三維測量系統，其特征在于，還包括用于安裝樣品(6)的位移機構(8)，所述位移機構(8)用于樣品(6)在光軸方向移動。

6.根據權利要求1所述的一種結構光調制的暗場顯微缺陷三維測量系統，其特征在于，所述樣品(6)安裝在顯微物鏡(5)的焦面附近。

7.根據權利要求1-6任一項所述的一種結構光調制的暗場顯微缺陷三維測量系統，其特征在于，所述樣品(6)為透明材料。

8.根據權利要求1-6任一項所述的一種結構光調制的暗場顯微缺陷三維測量系統，其特征在于，所述光源(1)為LED光源。