[實用新型]顯示基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 202021860354.0 | 申請日: | 2020-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN212257401U | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 楊小燕;楊玉清;李錫平;于匯洋;譚鳳霞;卓永;李慧;張偉;郭鐘旭;孫世成;吳欣慰;李存智;趙東升 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 吳俁;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括:
襯底基板,具有開孔區、圍繞所述開孔區的過渡區以及圍繞所述開孔區的像素區;
至少一個阻墨壩,位于所述過渡區內且圍繞所述開孔區;
至少一個導電膜層,位于所述過渡區內,所述導電膜層在所述襯底基板上的正投影與所述阻墨壩在所述襯底基板上的正投影存在交疊。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述導電膜層在所述襯底基板上的正投影與所述阻墨壩在所述襯底基板上的正投影,兩者完全重疊;
或者,所述阻墨壩在所述襯底基板上的正投影位于所述導電膜層在所述襯底基板上的正投影所圍成的區域之內。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,還包括:
薄膜晶體管,位于像素區域;
平坦化層,位于薄膜晶體管背向所述襯底基板一側;
第一電極,位于所述平坦化層背向所述襯底基板一側;
像素界定層,位于所述第一電極背向所述襯底基板一側。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述阻墨壩包括:
第一堆積膜層,與所述平坦化層的材料相同且同層設置;
和/或,第二堆積膜層,與所述像素界定層的材料相同且同層設置。
5.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括:
隔墊壩,位于所述像素界定層背向所述襯底基板的一側;
所述阻墨壩還包括:
第三堆積膜層,與所述隔墊壩的材料相同且同層設置。
6.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述至少一個導電膜層包括:至少一個第一導電膜層,所述第一導電膜層與所述薄膜晶體管的柵極、源漏電極、有源層、電容極板層中的一者材料相同且同層設置。
7.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述至少一個導電膜層包括:第二導電膜層,所述第二導電膜層與所述第一電極的材料相同且同層設置。
8.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述至少一個導電膜層包括:至少一個第一導電膜層和第二導電膜層;
所述第一導電膜層與所述薄膜晶體管的柵極、源漏電極、有源層、電容極板層中的一者材料相同且同層設置;
所述第二導電膜層與所述第一電極的材料相同且同層設置。
9.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述像素界定層上形成有像素容納孔,所述顯示基板還包括:
有機功能層,位于所述像素容納孔內;
第二電極,位于所述有機功能層背向所述襯底基板的一側;
封裝層,位于所述第二電極背向所述襯底基板的一側。
10.根據權利要求1-9中任一所述的顯示基板,其特征在于,所述阻墨壩包括:第一阻墨子壩和第二阻墨子壩;
所述第二阻墨子壩圍繞所述開孔區,所述第一阻墨子壩位于所述第二阻墨子壩背向所述開孔區的一側且圍繞所述第二阻墨子壩;
所述第一阻墨子壩背向所述襯底基板的一側表面與所述襯底基板之間具有第一距離,所述第二阻墨子壩背向所述襯底基板的一側表面與所述襯底基板之間具有第二距離,所述第一距離小于所述第二距離。
11.根據權利要求10所述的顯示基板,其特征在于,所述第一阻墨子壩與第二阻墨子壩間隔設置,所述阻墨壩還包括:位于所述第一阻墨子壩和所述第二阻墨子壩之間的區域;
所述導電膜層在所述襯底基板上的正投影,位于所述第一阻墨子壩在所述襯底基板上的正投影和所述第二阻墨子壩在所述襯底基板上的正投影之間。
12.一種顯示裝置,其特征在于,包括:如上述權利要求1至11中任一所述的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





