[實(shí)用新型]一種應(yīng)用于電子加速器的固態(tài)高頻電源

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202021844343.3
• 申請(qǐng)日: 2020-08-29
• 公開（公告）號(hào): CN212909379U
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙憨兵;張智;軒宗震;張新學(xué)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河北博宏感應(yīng)技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): H02M7/219
• 分類號(hào): H02M7/219;H02M3/156;H02M7/537;H02M5/06;H02M1/42;H05H7/02
• 代理公司: 石家莊領(lǐng)皓專利代理有限公司 13130
• 代理人: 董霖

本實(shí)用新型涉及一種應(yīng)用于電子加速器的固態(tài)高頻電源，屬于電子加速器技術(shù)領(lǐng)域，包括整流調(diào)功單元和逆變輸出單元，整流調(diào)功單元的電壓輸入端連接電網(wǎng)，所述整流調(diào)功模塊的電壓輸出端連接逆變輸出單元的電壓輸入端，所述逆變輸出單元的電壓輸出端作為本固態(tài)高頻電源的電源輸出端，其特征在于，所述整流調(diào)功單元包括整流模塊和IGBT斬波器，所述整流模塊包括三相全橋整流器，所述三相全橋整流器由可控硅組成，所述三相全橋整流器的輸入端連接電網(wǎng)的三條相線，所述三相全橋整流器的輸出端經(jīng)過電感組L1連接IGBT斬波器的輸入端，所述IGBT斬波器的輸出端經(jīng)過電感組L2作為整流調(diào)功單元的電壓輸出端。具有節(jié)能，不影響電網(wǎng)，功率因數(shù)高，控制電壓低的特點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于電子加速器技術(shù)領(lǐng)域，涉及到一種固態(tài)高頻電源，具體為應(yīng)用于電子加速器的固態(tài)高頻電源。

背景技術(shù)

近電子加速器應(yīng)通過高壓發(fā)射電子轟擊使被輻照材料改性和進(jìn)行消毒殺菌，污水處理等場(chǎng)合。電子加速器的激勵(lì)源為高頻電源，其中高頻電源傳統(tǒng)為電子管振蕩方式，產(chǎn)生13500V高壓送入鋼桶，鋼桶通過自耦變壓器和振蕩器產(chǎn)生30MV特高壓使電子發(fā)射出去。

現(xiàn)有電子管高頻，體積龐大，分為調(diào)壓柜、電子管、升壓變壓器、電子管等。

其中：1、調(diào)壓柜為可控硅調(diào)壓方式，通過脈沖移相調(diào)壓，存在功率因數(shù)低，電網(wǎng)諧波大的問題；

2、電子管高頻效率低，能耗大，本身也有使用周期定期更換問題；

3、升壓變壓器為50Hz電力變壓器，原理是將380V電壓升至13500V，一般采用油浸形式裸露接線，電壓高危險(xiǎn)性大；

4、電子管啟動(dòng)時(shí)間慢，需要分兩檔燈絲預(yù)熱后才能啟動(dòng)，不工作時(shí)也消耗電能；

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型為了解決上述問題，設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于電子加速器的固態(tài)高頻電源，具有節(jié)能，不影響電網(wǎng)，功率因數(shù)高，控制電壓低的特點(diǎn)。

本實(shí)用新型的具體技術(shù)方案是：

一種應(yīng)用于電子加速器的固態(tài)高頻電源，包括整流調(diào)功單元和逆變輸出單元，所述整流調(diào)功單元的電壓輸入端連接電網(wǎng)，所述整流調(diào)功模塊的電壓輸出端連接逆變輸出單元的電壓輸入端，所述逆變輸出單元的電壓輸出端作為本固態(tài)高頻電源的電源輸出端，所述整流調(diào)功單元包括整流模塊和IGBT斬波器，所述整流模塊包括三相全橋整流器，所述三相全橋整流器由可控硅組成，所述三相全橋整流器的輸入端連接電網(wǎng)的三條相線，所述三相全橋整流器的輸出端經(jīng)過電感組L1連接IGBT斬波器的輸入端，所述IGBT斬波器的輸出端經(jīng)過電感組L2作為整流調(diào)功單元的電壓輸出端。

所述逆變輸出單元包括逆變器和諧振電路，所述逆變輸出單元的正、負(fù)輸入端分別經(jīng)過電感2-L2和2-L1作為逆變輸出單元的電壓輸入端，所述逆變器的輸出端連接諧振電路的輸入端，所述諧振電路包括電容2-C1、2-C2、2-C3和2-C4和可變電感L，所述電容2-C2和2-C3串聯(lián)在逆變器的正負(fù)輸出端之間，所述電容2-C4和電容2-C1分別與逆變器的正負(fù)輸出端串聯(lián)連接，所述電容2-C4和電容2-C1另一端經(jīng)過所述可變電感L連接，所述可變電感L并聯(lián)有變壓器T的一次側(cè)，所述變壓器T的二次側(cè)的N線接地，L線作為所述逆變輸出單元的電壓輸出端。

所述逆變輸出單元的電壓輸入端之間連接有電容2-C11和2-C12,所述電容2-C11和2-C12的串聯(lián)點(diǎn)接地。

所述整流調(diào)功單元的電壓輸入端與電網(wǎng)之間串聯(lián)有斷路器QM1和主接觸器KM2，所述主接觸器KM2較斷路器QM1接近所述整流調(diào)功單元。

所述逆變器為MOSFET功率逆變器。

本實(shí)用新型的有益效果是：

IGBT斬波調(diào)功可以取代可控硅移相調(diào)功，功率因數(shù)高，節(jié)能且對(duì)電網(wǎng)的污染小；

附圖說明