[實用新型]一種高性能碳化硅IGBT模塊的出線銅排結構有效
| 申請號： | 202021833200.2 | 申請日： | 2020-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN212695898U | 公開（公告）日： | 2021-03-12 |
| 發明（設計）人： | 陳宇;嚴麗紅;辛藤 | 申請（專利權）人： | 張家港迪源電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H02M1/00 | 分類號： | H02M1/00 |
| 代理公司： | 蘇州金項專利代理事務所(普通合伙) 32456 | 代理人： | 金星 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 性能 碳化硅 igbt 模塊 出線 結構 | ||
1.一種高性能碳化硅IGBT模塊的出線銅排結構，其特征在于：包括高性能碳化硅IGBT模塊主體(1)，所述高性能碳化硅IGBT模塊主體(1)頂部的兩側均設置有出線銅排主體(2)，所述出線銅排主體(2)的表面設置有增強層(3)，所述增強層(3)遠離出線銅排主體(2)的一側設置有抗氧化層(4)，所述抗氧化層(4)遠離增強層(3)的一側設置有耐磨層(5)。
2.如權利要求1所述的一種高性能碳化硅IGBT模塊的出線銅排結構，其特征在于：所述增強層(3)包括鍍錳層(31)，所述鍍錳層(31)的表面設置有鍍鋅層(32)。
3.如權利要求1所述的一種高性能碳化硅IGBT模塊的出線銅排結構，其特征在于：所述抗氧化層(4)包括鍍鎳層(41)，所述鍍鎳層(41)的表面設置有鍍硼層(42)。
4.如權利要求1所述的一種高性能碳化硅IGBT模塊的出線銅排結構，其特征在于：所述耐磨層(5)包括鍍鉬層(51)，所述鍍鉬層(51)的表面設置有鍍鉻層(52)，所述鍍鉻層(52)的厚度與鍍鉬層(51)的厚度相同。
5.如權利要求1所述的一種高性能碳化硅IGBT模塊的出線銅排結構，其特征在于：所述出線銅排主體(2)的表面套接有防護套(6)，所述防護套(6)的材質為無鹵阻燃聚烯烴材料。
6.如權利要求2所述的一種高性能碳化硅IGBT模塊的出線銅排結構，其特征在于：所述鍍錳層(31)的厚度為10um，所述鍍鋅層(32)的厚度為30um，所述鍍鋅層(32)的厚度大于鍍錳層(31)的厚度。
7.如權利要求3所述的一種高性能碳化硅IGBT模塊的出線銅排結構，其特征在于：所述鍍鎳層(41)的厚度為15um，所述鍍硼層(42)的厚度為40um，所述鍍硼層(42)的厚度大于鍍鎳層(41)的厚度。
8.如權利要求1所述的一種高性能碳化硅IGBT模塊的出線銅排結構，其特征在于：所述出線銅排主體(2)上設置有定位臺階。
9.如權利要求8所述的一種高性能碳化硅IGBT模塊的出線銅排結構，其特征在于：所述出線銅排主體(2)上設置有方便焊接時金屬焊料通過的金屬通過孔，所述金屬通過孔設置于定位臺階的上方。
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H02M1-00 變換裝置的零部件
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H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路，例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備，例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
