[實用新型]一種低方阻的透明導電膜有效
| 申請號： | 202021830496.2 | 申請日： | 2020-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN212392013U | 公開（公告）日： | 2021-01-22 |
| 發明（設計）人： | 呂敬波;于佩強;胡業新;陸明明 | 申請（專利權）人： | 江蘇日久光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01B5/14 | 分類號： | H01B5/14 |
| 代理公司： | 蘇州科仁專利代理事務所(特殊普通合伙) 32301 | 代理人： | 郭楊 |
| 地址： | 215000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低方阻 透明 導電 | ||
1.一種低方阻的透明導電膜，其特征在于：包括由下往上層疊設置的透明基材、折射率匹配層、過渡層、金屬合金層、第一透明導電層、介質阻隔層和第二透明導電層，
其中所述折射率匹配層為硫化鋅層、五氧化二鈮層、二氧化鈦層、氧化鋅層或者氧化鋅混合層，厚度為15~50nm，
所述過渡層為氧化鋅鎂層、氧化鋅鎵層或氧化鋅鋁層，厚度為3~15nm，
介質阻隔層為氧化鋅層、二氧化硅層、氧化鋁層或氮化硅層。
2.根據權利要求1所述的一種低方阻的透明導電膜，其特征在于：所述折射率匹配層為五氧化二鈮層，厚度為35nm。
3.根據權利要求1所述的一種低方阻的透明導電膜，其特征在于：所述過渡層為氧化鋅鎂層，厚度為6nm。
4.根據權利要求1所述的一種低方阻的透明導電膜，其特征在于：所述介質阻隔層為二氧化硅層，厚度為10nm。
5.根據權利要求1所述的一種低方阻的透明導電膜，其特征在于：所述透明基材層的材料為PI、PET、PC、COP和玻璃中的一種，厚度為0.005~1μm，并且當材料為PET或PC時，上下表面做加硬處理。
6.根據權利要求5所述的一種低方阻的透明導電膜，其特征在于：所述透明基材層的材料為PET，厚度為0.125μm。
7.根據權利要求1所述的一種低方阻的透明導電膜，其特征在于：所述金屬合金層為銀合金層或者銅合金層，厚度為4~20nm，方阻為5~30Ω。
8.根據權利要求1所述的一種低方阻的透明導電膜，其特征在于：所述金屬合金層為銀鈀銅合金層，厚度為6.5nm，方阻為16Ω。
9.根據權利要求1所述的一種低方阻的透明導電膜，其特征在于：所述第一透明導電層為氧化錫層、氧化鋅層或氧化銦錫層，厚度為5-40nm。
10.根據權利要求1所述的一種低方阻的透明導電膜，其特征在于：所述第二透明導電層為氧化錫層，或為氧化銦錫層，厚度為20~80nm。
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