[實用新型]一種內(nèi)外導(dǎo)體表面繞包鋁被覆層的低溫超導(dǎo)射頻同軸電纜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202021817010.1 | 申請日： | 2020-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN212967982U | 公開（公告）日： | 2021-04-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 唐元陽;朱云川 | 申請（專利權(quán)）人： | 昆山安勝達(dá)微波科技有限公司 |
| 主分類號： | H01P3/06 | 分類號： | H01P3/06;H01B12/02 |
| 代理公司： | 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 湯東鳳 |
| 地址： | 215000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 內(nèi)外 導(dǎo)體 表面 繞包鋁 被覆 低溫 超導(dǎo) 射頻 同軸電纜 | ||
1.一種內(nèi)外導(dǎo)體表面繞包鋁被覆層的低溫超導(dǎo)射頻同軸電纜，其特征在于：其包括內(nèi)導(dǎo)體、搭疊繞包在所述內(nèi)導(dǎo)體外表面的第一鋁質(zhì)被覆層、包裹在所述第一鋁質(zhì)被覆層外表面的介質(zhì)層、搭疊繞包在所述介質(zhì)層外表面的第二鋁質(zhì)被覆層、以及包裹在所述第二鋁質(zhì)被覆層外表面的外導(dǎo)體。
2.如權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)外導(dǎo)體表面繞包鋁被覆層的低溫超導(dǎo)射頻同軸電纜，其特征在于：所述內(nèi)導(dǎo)體為純銅導(dǎo)體、不銹鋼導(dǎo)體、或銅包鋼導(dǎo)體中的一種。
3.如權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)外導(dǎo)體表面繞包鋁被覆層的低溫超導(dǎo)射頻同軸電纜，其特征在于：所述外導(dǎo)體為純銅導(dǎo)體、不銹鋼導(dǎo)體、或鋁合金導(dǎo)體中的一種。
4.如權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)外導(dǎo)體表面繞包鋁被覆層的低溫超導(dǎo)射頻同軸電纜，其特征在于：所述第一鋁質(zhì)被覆層與所述第二鋁質(zhì)被覆層為純鋁帶。
5.如權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)外導(dǎo)體表面繞包鋁被覆層的低溫超導(dǎo)射頻同軸電纜，其特征在于：所述第一鋁質(zhì)被覆層與所述第二鋁質(zhì)被覆層為雙面導(dǎo)通的鋁塑復(fù)合帶。
6.如權(quán)利要求5所述的一種內(nèi)外導(dǎo)體表面繞包鋁被覆層的低溫超導(dǎo)射頻同軸電纜，其特征在于：所述鋁塑復(fù)合帶自上而下依次包括緊密相貼的第一鋁質(zhì)層、第一塑料薄膜層、粘結(jié)劑層、第二塑料薄膜層以及第二鋁質(zhì)層，其中所述第一鋁質(zhì)層與所述第二鋁質(zhì)層物理連接在一起。
7.如權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)外導(dǎo)體表面繞包鋁被覆層的低溫超導(dǎo)射頻同軸電纜，其特征在于：所述介質(zhì)層為PTFE帶螺旋繞包在所述第一鋁質(zhì)被覆層上。
8.如權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)外導(dǎo)體表面繞包鋁被覆層的低溫超導(dǎo)射頻同軸電纜，其特征在于：所述介質(zhì)層為PTFE擠出一體式介質(zhì)層。
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