[實用新型]激光退火裝置有效
| 申請號: | 202021814163.0 | 申請日: | 2020-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN213366530U | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
| 發明(設計)人: | 小杉純一;楊映保 | 申請(專利權)人: | 株式會社V技術 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L21/324;H01L21/02;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華;洪秀川 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 退火 裝置 | ||
1.一種激光退火裝置,
在基板上形成有柵極線,在所述柵極線的上層以包覆所述柵極線的整體的方式成膜出非晶硅膜,
所述激光退火裝置對于所述非晶硅膜照射連續振蕩激光而將所述非晶硅膜的改質預定區域改質成結晶化膜,其特征在于,
所述激光退火裝置具備:
光源,其射出連續振蕩的激光;及
光學頭,其將從所述光源射出的所述激光加工成為收斂的激光束,所述激光束能夠對應地投影到位于所述柵極線的上方的所述改質預定區域內,
所述光學頭在所述激光束中最收斂的點部位于所述改質預定區域的所述非晶硅膜的膜內部的狀態下,在所述改質預定區域內相對性地掃描所述激光束。
2.一種激光退火裝置,
在基板上形成有柵極線,在所述柵極線的上層以包覆所述基板的整體的方式成膜出非晶硅膜,
所述激光退火裝置對于所述非晶硅膜照射連續振蕩激光而將所述非晶硅膜的改質預定區域改質成結晶化膜,其特征在于,
所述激光退火裝置具備:
光源,其射出連續振蕩的激光;及
光學頭,其將從所述光源射出的所述激光加工成為收斂的激光束,所述激光束能夠對應地投影到位于所述柵極線的上方的所述改質預定區域內,
所述光學頭在所述激光束中最收斂的點部位于所述改質預定區域的所述非晶硅膜的膜內部的狀態下,在包含所述改質預定區域在內的規定的區域相對性地掃描所述激光束。
3.一種激光退火裝置,
在基板上形成有柵極線,在所述柵極線的上層以包覆所述柵極線的整體的方式成膜出非晶硅膜,
所述激光退火裝置對于所述非晶硅膜照射連續振蕩激光而將所述非晶硅膜的改質預定區域改質成結晶化膜,其特征在于,
所述激光退火裝置具備:
光源,其射出連續振蕩的激光;及
光學頭,其將從所述光源射出的所述激光加工成為收斂的激光束,所述激光束能夠對應地投影到位于所述柵極線的上方的所述改質預定區域內,
所述光學頭在包括所述激光束中的焦點及焦點附近在內且射束輪廓維持禮帽形狀的區域與所述改質預定區域的所述非晶硅膜的膜內部的區域重疊的狀態下,在所述改質預定區域內相對性地掃描所述激光束。
4.一種激光退火裝置,
在基板上形成有柵極線,在所述柵極線的上層以包覆所述基板的整體的方式成膜出非晶硅膜,
所述激光退火裝置對于所述非晶硅膜照射連續振蕩激光而將所述非晶硅膜的改質預定區域改質成結晶化膜,其特征在于,
所述激光退火裝置具備:
光源,其射出連續振蕩的激光;及
光學頭,其將從所述光源射出的所述激光加工成為收斂的激光束,所述激光束能夠對應地投影到位于所述柵極線的上方的所述改質預定區域內,
所述光學頭在包括所述激光束中的焦點及焦點附近在內且射束輪廓維持禮帽形狀的區域與所述改質預定區域的所述非晶硅膜的膜內部的區域重疊的狀態下,在包含所述改質預定區域在內的規定的區域相對性地掃描所述激光束。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的激光退火裝置,其中,
從所述光源射出的所述激光被導向至設置于所述光學頭的光纖。
6.根據權利要求5所述的激光退火裝置,其中,
所述光纖的與光軸方向垂直的截面形狀為正方形、長方形或六邊形。
7.一種激光退火裝置,
在基板上形成有相互平行的多個柵極線,在所述多個柵極線的上層以包覆所述多個柵極線的整體的方式成膜出非晶硅膜,
所述激光退火裝置對于所述非晶硅膜照射連續振蕩激光而將所述非晶硅膜的改質預定區域改質成結晶化膜,其特征在于,
所述激光退火裝置具備:
多個光源,其分別射出連續振蕩的激光;及
光學頭,其將從多個所述光源射出的各個所述激光加工成為收斂的激光束,各個所述激光束能夠依次對應地投影到位于所述柵極線的上方的所述改質預定區域內,
所述光學頭在各個所述激光束中的最收斂的點部位于所述改質預定區域的所述非晶硅膜的膜內部的狀態下,在所述改質預定區域內相對性地掃描所述激光束。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





