[實用新型]一種同步并聯(lián)的PFC電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021806980.1
• 申請日: 2020-08-25
• 公開（公告）號: CN213151906U
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設計）人: 韓帥;吳峰
• 申請（專利權）人: 深圳市瀚強科技股份有限公司
• 主分類號: H02M1/42
• 分類號: H02M1/42;H02M3/156;H02M3/158
• 代理公司: 深圳市智勝聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 44368
• 代理人: 齊文劍

本實用新型提供了一種同步并聯(lián)的PFC電路，包括：整流橋BD01、第一獨立Boost變換器、第二獨立Boost變換器；所述第一獨立Boost變換器與所述第二獨立Boost變換器并聯(lián)；所述第一獨立Boost變換器包括電感器L01、二極管D01、MOS管Q01、三極管Q1和三極管Q2；所述第二獨立Boost變換器包括電感器L02、二極管D02、MOS管Q02、三極管Q3和三極管Q4。本線路采用電感器L01、二極管D01、MOS管Q01組成的第一獨立Boost變換器與電感器L02、二極管D02、MOS管Q02組成的第二獨立Boost變換器并聯(lián)，有效提升了功率，不僅解決了兩個MOS管直接并聯(lián)后因為VGSTH值(柵源閾值電壓值)和QRR值(反向恢復電荷值)不同帶來的影響，而且電路設計簡單，成本低。

技術領域

本實用新型涉及電源電路技術領域，特別是涉及一種同步并聯(lián)的PFC 電路。

背景技術

隨著大功率電源的發(fā)展與廣泛應用，基于增大電源功率設計顯得尤為重要。現(xiàn)有的在增大電源功率設計中，并聯(lián)是一個重要的環(huán)節(jié)，然而現(xiàn)有的并聯(lián)設計都存在一些缺陷，比如電路中因MOS管的VGSTH值(柵源閾值電壓值)和QRR值(反向恢復電荷值)的不同而受到影響。具體的，在VGSTH 不同的情況下，當其中一個MOS管導通時，另一個或另一些MOS管還未導通，導致后端供電輸出不穩(wěn)定，而其他MOS管未及時導通時，先導通的 MOS管在大電流供電電路中，極易被燒毀，所以合理的設計并聯(lián)電路是十分重要的。

實用新型內(nèi)容

鑒于上述問題，提出了本實用新型以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種同步并聯(lián)的PFC電路。

為了解決上述問題，本實用新型公開了一種同步并聯(lián)的PFC電路，包括：整流橋BD01、第一獨立Boost變換器、第二獨立Boost變換器；所述第一獨立Boost變換器與所述第二獨立Boost變換器并聯(lián)；所述第一獨立Boost 變換器包括電感器L01、二極管D01、MOS管Q01、三極管Q1和三極管 Q2；所述第二獨立Boost變換器包括電感器L02、二極管D02、MOS管Q02、三極管Q3和三極管Q4；所述電感器L01的第一端和所述電感器L02的第一端連接且均與所述整流橋BD01的正輸出端連接，所述電感器L01與所述電感器L02并聯(lián)；所述MOS管Q01的漏極和所述電感器L01的第二端連接且均與所述二極管D01的正極連接；電阻R02的第一端與電阻R03的第一端均與所述MOS管Q01的柵極連接；所述三極管Q1的集電極接電源VCC 端；所述三極管Q1的基極和所述三極管Q2的基極均與電阻R01的第一端連接，所述電阻R01的第二端與脈沖信號驅(qū)動G連接；所述三極管Q1的發(fā)射極和所述三極管Q2的發(fā)射極均與所述電阻R02的第二端連接；所述三極管Q2的集電極與所述電阻R03的第二端連接；所述電阻R03的第二端與所述MOS管Q01的源極連接；所述MOS管Q01的源極接地。

進一步地，所述MOS管Q02的漏極和所述電感器L02的第二端均與所述二極管D02的正極連接；電阻R05的第一端與電阻R06的第一端均與所述MOS管Q02的柵極連接；所述三極管Q3的集電極接電源VCC端；所述三極管Q3的基極和所述三極管Q4的基極均與電阻R04的第一端連接，所述電阻R04的第二端與脈沖信號驅(qū)動G連接；所述三極管Q3的發(fā)射極和所述三極管Q4的發(fā)射極均與所述電阻R05的第二端連接；所述三極管Q4的集電極與所述電阻R06的第二端連接；所述電阻R06的第二端與所述MOS 管Q02的源極連接；所述MOS管Q02的源極接地；所述三極管Q4的發(fā)射極與所述整流橋BD01的接地端連接。

進一步地，所述二極管D01的負極和所述二極管D02的負極連接，所述二極管D01的負極與輸出端VBUS連接；所述二極管D01的負極與濾波電容EC01的正極連接；所述濾波電容EC01的負極接地。

進一步地，所述MOS管Q01和所述MOS管Q02均為N溝道MOS管。

進一步地，所述三極管Q1和所述三極管Q3均為NPN型三極管；所述三極管Q2和所述三極管Q4均為PNP型三極管。