[實用新型]異質結太陽能電池有效
申請號: | 202021771250.2 | 申請日: | 2020-08-21 |
公開(公告)號: | CN212725337U | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
發明(設計)人: | 張達奇;姚錚;吳華德;吳堅;蔣方丹 | 申請(專利權)人: | 嘉興阿特斯光伏技術有限公司 |
主分類號: | H01L31/072 | 分類號: | H01L31/072;H01L31/0216 |
代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 張煒平 |
地址: | 314000 浙江省嘉興市秀洲區高照街*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 異質結 太陽能電池 | ||
1.一種異質結太陽能電池,包括單晶硅襯底,所述單晶硅襯底具有相背設置的第一主面與第二主面、以及連接所述第一主面與所述第二主面的側面,所述第一主面與所述第二主面中的一個為受光面,另一個為背光面;其特征在于,所述異質結太陽能電池還包括覆于所述單晶硅襯底外的本征結構膜、覆于所述本征結構膜外的摻雜結構膜、覆于所述摻雜結構膜外且位于所述第一主面側的第一透明導電膜層、覆于所述摻雜結構膜外且位于所述第二主面側的第二透明導電膜層、位于所述第一透明導電膜層上的第一集電極、以及位于所述第二透明導電膜層上的第二集電極;所述本征結構膜包括位于所述第一主面的第一本征非晶層以及位于所述第二主面的第二本征非晶層,所述第一本征非晶層周邊延伸至所述第一主面的邊緣,第二本征非晶層具有朝所述第一本征非晶層方向延伸以覆蓋全部所述側面且連接至所述第一本征非晶層邊緣的本征側邊部;所述摻雜結構膜包括位于所述第一主面側的第一摻雜非晶層以及位于所述第二主面側且摻雜類型與所述第一摻雜非晶層摻雜類型相反的第二摻雜非晶層。
2.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述第一本征非晶層、所述第一摻雜非晶層、所述第二本征非晶層及所述第二摻雜非晶層中位于所述受光面的兩者厚度之和小于或等于位于所述背光面的兩者厚度之和。
3.根據權利要求2所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述第一本征非晶層、所述第一摻雜非晶層、所述第二本征非晶層及所述第二摻雜非晶層中位于所述受光面的兩者厚度之和為6-21nm、位于所述背光面的兩者厚度之和為6-30nm。
4.根據權利要求1-3任意一項所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述第一本征非晶層與所述第二本征非晶層中位于所述受光面的厚度小于或等于位于所述背光面的厚度。
5.根據權利要求4所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述第一本征非晶層與所述第二本征非晶層中位于所述受光面的厚度為3-6nm,位于所述背光面的厚度為3-10nm。
6.根據權利要求1-3任意一項所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述第一摻雜非晶層與所述第二摻雜非晶層中位于所述受光面一側的厚度小于或等于位于所述背光面一側的厚度。
7.根據權利要求6所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述第一摻雜非晶層與所述第二摻雜非晶層中位于所述受光面一側的厚度為3-15nm,位于所述背光面一側的厚度為3-20nm。
8.根據權利要求1、2或3所述的異質結太陽能電池,其特征在于,由所述背光面指向所述受光面的方向上,所述第一摻雜非晶層與所述第二摻雜非晶層中位于所述受光面的依次包括第一摻雜非晶硅膜以及位于所述第一摻雜非晶硅膜表面的摻雜非晶氧化硅膜、摻雜非晶碳化硅膜或摻雜非晶碳化硅/摻雜非晶氧化硅復合膜。
9.根據權利要求8所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述第一摻雜非晶層與所述第二摻雜非晶層中位于所述受光面的還包括位于所述摻雜非晶氧化硅膜、所述摻雜非晶碳化硅膜或所述摻雜非晶碳化硅/摻雜非晶氧化硅復合膜表面的第二摻雜非晶硅膜。
10.根據權利要求1、2或3所述的異質結太陽能電池,其特征在于,由所述受光面指向所述背光面的方向上,所述第一摻雜非晶層與所述第二摻雜非晶層中位于所述背光面的依次包括第三摻雜非晶硅膜以及位于所述第三摻雜非晶硅膜表面且摻雜濃度大于所述第三摻雜非晶硅膜的第四摻雜非晶硅膜。
11.根據權利要求1、2或3所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述第一摻雜非晶層的摻雜側邊部與所述第二摻雜非晶層的摻雜側邊部于所述本征側邊部外層疊設置。
12.根據權利要求1、2或3所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述本征側邊部的厚度不小于1nm。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的