[實用新型]異質結太陽能電池

有效

• 申請號: 202021761138.0
• 申請日: 2020-08-21
• 公開（公告）號: CN213184315U
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 張達奇;姚錚;吳華德;吳堅;蔣方丹
• 申請（專利權）人: 嘉興阿特斯光伏技術有限公司
• 主分類號: H01L31/072
• 分類號: H01L31/072;H01L31/0216
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 張煒平

本實用新型提供了一種異質結太陽能電池及其制作方法，其中所涉及異質結太陽能電池的單晶硅襯底側面上具有非晶層，基于本實用新型所提供異質結太陽能電池的具體結構，可以避免第一透明導電膜層、第二透明導電膜層與單晶硅襯底之間形成直接接觸導致漏電，降低單晶硅襯底邊緣受損風險，而單晶硅襯底的側面由于被本征結構膜覆蓋，還能有效提高單晶硅襯底側面的鈍化效果。

技術領域

本實用新型涉及光伏制造領域，尤其涉及一種異質結太陽能電池。

背景技術

異質結太陽能電池是目前一種較為高效的晶硅太陽能電池，其結合了晶體硅電池和硅基薄膜電池的特征，具有制造流程短、工藝溫度低、轉換效率高和發電量多等優點。圖1所示為現有技術所涉及異質結太陽能電池的結構示意圖，其自上至下依次包括第一集電極51＇、第一透明導電膜層41＇、第一摻雜非晶層 31＇、第一本征非晶層21＇、單晶硅襯底10＇、第二本征非晶層22＇、第二摻雜非晶層32＇、第二透明導電膜層42＇、第二集電極52＇。

在現有技術異質結太陽能電池具體制作過程中，通常先通過PECVD工藝完成單晶硅襯底10＇兩表面第一本征非晶層21＇、第二本征非晶層22＇、第一摻雜非晶層31＇、第二摻雜非晶層32＇共四層非晶層的制作；繼而PVD工藝進行第一透明導電膜層41＇與第二透明導電膜層42＇的制作；最后通過絲網印刷工藝進行第一集電極51＇與第二集電極52＇的制作。

在四層非晶層的具體制作過程中，現有技術均需要通過布置金屬掩模，使得第一本征非晶層21＇、第二本征非晶層22＇、第一摻雜非晶層31＇與第二摻雜非晶層32＇僅成型于單晶硅襯底10＇兩個主面，即第一本征非晶層21＇、第二本征非晶層22＇、第一摻雜非晶層31＇與第二摻雜非晶層32＇均不延伸至單晶硅襯底10＇的側面。

然現有技術所涉及的異質結太陽能電池存在以下問題：單晶硅襯底10＇側面無非晶層遮擋，第一透明導電膜層41＇、第二透明導電膜層42＇易與單晶硅襯底10＇之間形成直接接觸，存在漏電風險；單晶硅襯底10＇邊緣直接暴露會增加邊緣受損風險；單晶硅襯底10＇邊緣區域鈍化不充分。

有鑒于此，有必要提供一種改進的技術方案以解決上述問題。

實用新型內容

本實用新型旨在至少解決現有技術存在的技術問題之一，為實現上述實用新型目的，本實用新型提供了一種異質結太陽能電池，其具體設計方式如下。

一種異質結太陽能電池，包括單晶硅襯底，所述單晶硅襯底具有相背設置的第一主面與第二主面、以及連接所述第一主面與所述第二主面的側面，所述第一主面與所述第二主面中的一個為受光面，另一個為背光面；所述異質結太陽能電池還包括覆于所述單晶硅襯底外的本征結構膜、覆于所述本征結構膜外的摻雜結構膜、覆于所述摻雜結構膜外且位于所述第一主面側的第一透明導電膜層、位于所述第一透明導電膜層上的第一集電極、覆于所述摻雜結構膜外且位于所述第二主面側的第二透明導電膜層、以及位于所述第二透明導電膜層上的第二集電極；所述本征結構膜包括位于所述第一主面的第一本征非晶層以及位于所述第二主面的第二本征非晶層，所述第一本征非晶層具有朝所述第二本征非晶層方向延伸以覆蓋所述側面與所述第一主面相連一側區域的第一本征側邊部，第二本征非晶層具有朝所述第一本征非晶層方向延伸以覆蓋所述側面與所述第二主面相連的一側區域以及所述第一本征側邊部的第二本征側邊部；所述摻雜結構膜包括位于所述第一主面側的第一摻雜非晶層以及位于所述第二主面側且摻雜類型與所述第一摻雜非晶層摻雜類型相反的第二摻雜非晶層。

進一步，所述第一本征非晶層、所述第一摻雜非晶層、所述第二本征非晶層及所述第二摻雜非晶層中位于所述受光面的兩者厚度之和小于或等于位于所述背光面的兩者厚度之和。

進一步，所述第一本征非晶層、所述第一摻雜非晶層、所述第二本征非晶層及所述第二摻雜非晶層中位于所述受光面的兩者厚度之和為6-21nm、位于所述背光面的兩者厚度之和為6-30nm。