[實用新型]一種新型陣列基板膜層結構有效
| 申請號: | 202021736015.1 | 申請日: | 2020-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN212676272U | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發明(設計)人: | 陳宇懷 | 申請(專利權)人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 張明 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 陣列 基板膜層 結構 | ||
本實用新型涉及OLED面板陣列基板技術領域,特別涉及一種新型陣列基板膜層結構,包括玻璃基板,玻璃基板的一側面的正常區上依次層疊設有第一柵極金屬層、第一柵極絕緣層、第一有源層、第一源漏極金屬層、第一鈍化層、第一平坦層、第一陽極層、第一畫素定義層和第一陰極層,通過設置第一柵極金屬層、第一源漏極金屬層和第一陽極層,且正常區的第一柵極金屬層、第一源漏極金屬層和第一陽極層均采用夾層結構,這樣使得正常區擁有良好的顯示效果以及更低的功耗;而且使得面板的增透區與正常區的像素密度可以保持一致,改善了現有屏下攝像頭終端設備為了保證攝像頭區域的透光率對部分像素進行留白縮減像素密度而導致觀感上存在色差。
技術領域
本實用新型涉及OLED面板陣列基板技術領域,特別涉及一種新型陣列基板膜層結構。
背景技術
從“全面屏”這一概念出現后,人們就開始向著這一目標前行,經過努力,導航按鍵、聽筒、傳感器、指紋識別模組等都成功地實現了隱藏,新的封裝工藝也讓邊框寬度不斷下降,然而勝利在望的時刻,前置攝像頭這一“釘子戶”卻成了最后的阻礙;于是異形屏成為了主流,同時也引起了大量用戶的不滿;機械結構雖然保證了屏幕完整性,但又讓機身變得厚重,可靠性也有下降。
所謂屏下攝像頭,需要前置攝像頭上方的屏幕顯示區域在攝像頭關閉時呈現正常的顯示狀態,當攝像頭啟動后,這一區域又能夠確保前置相機擁有充足的進光量;因此,搭載屏下攝像頭的終端產品必須用到透光率非常高的OLED(即有機發光二極管)屏,否則,進光量不足就會對前置相機的成像效果產生影響。
OLED屏幕雖然是可以透光的,但透光率其實比較低;光學指紋識別可以通過屏幕的主動高亮發光照亮被攝畫面,來彌補透光率低的問題,然而用于拍照的前置攝像頭大部分情況則只能被動接受環境光,在攝像頭模組本身較小、感光能力較弱的情況下,透光率便成了一個大問題;目前比較主流的做法就是此類“低PPI方案”,不過并不是讓整個屏幕PPI(每英寸所擁有的像素數目)變低,而是只在攝像頭區域的一小部分屏幕做此類低PPI設計,同時這也導致與周圍屏幕有顯示差異;目前的屏幕PPI大約在400左右,而PPI在這個水平,相機中光的透過率是很低的,這樣就嚴重影響了拍照效果;而如果把PPI降低,提高透過率,就會出現顯示區域的PPI和整個屏幕的PPI差距很大,從而出現顯示區域有色塊等現象。
在MWC19上海,OPPO首度展出其屏下攝像頭解決方案“透視全景屏”,吸引了眾人關注的目光,但試用者發現,屏下攝像頭技術并沒有想象的那么成熟:拍照時成像清晰度不高,出現了明顯泛白的情況;攝像頭區域的顯示效果和屏幕其他區域有顯著色差,近看則更加明顯。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是:提供一種新型陣列基板膜層結構,在不增加額外光罩和不縮減像素數量的前提下,增加面板特定區域的透光度。
為了解決上述技術問題,本實用新型采用的技術方案為:
一種新型陣列基板膜層結構,包括玻璃基板,所述玻璃基板的一側面的正常區上依次層疊設有第一柵極金屬層、第一柵極絕緣層、第一有源層、第一源漏極金屬層、第一鈍化層、第一平坦層、第一陽極層、第一畫素定義層和第一陰極層;
所述第一柵極絕緣層上開設有第一過孔,所述第一過孔中填充有第一源漏極金屬層,所述第一源漏極金屬層分別與第一柵極金屬層、第一柵極絕緣層、第一有源層和第一鈍化層接觸,所述第一源漏極金屬層上開設有第二過孔,所述第二過孔中填充有第一鈍化層,所述第一鈍化層分別與第一有源層和第一源漏極金屬層接觸,所述第一鈍化層上開設有第三過孔,所述第一平坦層上開設有第四過孔,所述第四過孔與第三過孔相對設置且相通,所述第三過孔和第四過孔中均填充有第一陽極層,所述第三過孔中的第一陽極層分別與第一源漏極金屬層和第一鈍化層接觸,所述第四過孔中的第一陽極層分別與第一平坦層和第一畫素定義層接觸,所述第一畫素定義層上開設有第五過孔,所述第五過孔中填充有第一有機發光層,所述第一有機發光層分別與第一陽極層、第一畫素定義層和第一陰極層接觸;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





