[實用新型]一種陣列基板膜層結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202021736014.7 | 申請日: | 2020-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN212676271U | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳宇懷 | 申請(專利權(quán))人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 福州市博深專利事務(wù)所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 張明 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 基板膜層 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種陣列基板膜層結(jié)構(gòu),其特征在于,包括玻璃基板,所述玻璃基板的一側(cè)面的增透區(qū)上依次層疊設(shè)有第一柵極導(dǎo)電層、第一柵極絕緣層、第一有源層、第一源漏極導(dǎo)電層、第一鈍化層、第一平坦層、第一陽極層、第一畫素定義層和第一陰極層;
所述第一柵極絕緣層上開設(shè)有第一過孔,所述第一過孔中填充有第一源漏極導(dǎo)電層,所述第一源漏極導(dǎo)電層分別與第一柵極導(dǎo)電層、第一柵極絕緣層、第一有源層和第一鈍化層接觸,所述第一源漏極導(dǎo)電層上開設(shè)有第二過孔,所述第二過孔中填充有第一鈍化層,所述第一鈍化層分別與第一有源層和第一源漏極導(dǎo)電層接觸,所述第一鈍化層上開設(shè)有第三過孔,所述第一平坦層上開設(shè)有第四過孔,所述第四過孔與第三過孔相對設(shè)置且相通,所述第三過孔和第四過孔中均填充有第一陽極層,所述第三過孔中的第一陽極層分別與第一源漏極導(dǎo)電層和第一鈍化層接觸,所述第四過孔中的第一陽極層分別與第一平坦層和第一畫素定義層接觸,所述第一畫素定義層上開設(shè)有第五過孔,所述第五過孔中填充有第一有機發(fā)光層,所述第一有機發(fā)光層分別與第一陽極層、第一畫素定義層和第一陰極層接觸;
所述第一柵極導(dǎo)電層、第一源漏極導(dǎo)電層和第一陽極層的材質(zhì)均為透明導(dǎo)電材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板膜層結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一平坦層與第一陽極層之間還設(shè)有金屬反射層,所述金屬反射層分別與第一平坦層和第一陽極層接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板膜層結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一有機發(fā)光層為半透明第一有機發(fā)光層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板膜層結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一有源層對應(yīng)第一柵極導(dǎo)電層的位置設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板膜層結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二過孔對應(yīng)第一有源層的位置設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板膜層結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一源漏極導(dǎo)電層上還開設(shè)有第六過孔,所述第六過孔中填充有第一鈍化層,所述第六過孔中填充的第一鈍化層分別與第一柵極絕緣層、第一柵極導(dǎo)電層和第一平坦層接觸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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