[實(shí)用新型]抗干擾微波探測模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021731724.0
• 申請日: 2020-08-14
• 公開（公告）號: CN212517507U
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒高迪;鄒新;鄒明志
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳邁睿智能科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/36
• 分類號: H01Q1/36;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q9/16;H01Q23/00;G01V3/12
• 代理公司: 寧波理文知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33244
• 代理人: 孟湘明

1.抗干擾微波探測模塊，其特征在于，包括：

一饋源，其中所述饋源被設(shè)置允許被一供電源供電而于所述饋源的正極和地極之間產(chǎn)生一饋電信號；和

一天線體，其中所述天線體包括一輻射源，一參考地以及一等效電感，其中所述天線體被設(shè)置為平板天線而具有呈平面狀態(tài)的所述輻射源和所述參考地，其中所述輻射源和所述參考地以平行的狀態(tài)相間隔，其中所述輻射源具有一輻射源主體和與所述輻射源主體的其中一邊相靠近的一邊饋線，以及分別被設(shè)置于所述輻射源主體和所述邊饋線的兩饋電點(diǎn)，其中所述輻射源的其中一所述饋電點(diǎn)與所述輻射源主體的物理中心點(diǎn)的連線垂直于所述輻射源的另一所述饋電點(diǎn)與所述輻射源主體的物理中心點(diǎn)的連線，其中所述輻射源于位于所述輻射源主體的所述饋電點(diǎn)被電性連接于所述饋源的正極和地極中的一極，和于所述輻射源主體的物理中心點(diǎn)被電性連接于所述饋源的另一極，如此以藉由所述饋電信號的高頻特性于所述輻射源主體的所述饋電點(diǎn)和所述輻射源主體的物理中心點(diǎn)之間形成所述等效電感。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗干擾微波探測模塊，其中所述輻射源于位于所述輻射源主體的所述饋電點(diǎn)被電性連接于所述饋源的地極和于所述輻射源主體的物理中心點(diǎn)被電性連接于所述饋源的正極，即所述等效電感的電性連接于所述饋電點(diǎn)的一端被電性連接于所述饋源的地極，所述等效電感的另一端被電性連接于所述饋源的正極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗干擾微波探測模塊，其中所述輻射源于所述輻射源主體的物理中心點(diǎn)經(jīng)一電感或電阻被電性連接于所述饋源的正極。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗干擾微波探測模塊，其中所述饋源以分立元器件形態(tài)被設(shè)置而具有一MOS管，其中所述輻射源于位于所述輻射源主體的所述饋電點(diǎn)被電性連接于所述MOS管的漏極而與所述饋源的地極電性相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗干擾微波探測模塊，其中所述饋源以分立元器件形態(tài)被設(shè)置而具有一三級管，其中所述輻射源于位于所述輻射源主體的所述饋電點(diǎn)被電性連接于所述三級管的集電極而與所述饋源的地極電性相連。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗干擾微波探測模塊，其中所述饋源以集成電路形態(tài)被設(shè)計(jì)而包括一微波芯片，其中所述微波芯片包括一發(fā)射端和一接收端，其中所述輻射源于位于所述輻射源主體的所述饋電點(diǎn)以被電性連接于所述發(fā)射端的方式被電性連接于所述饋源的地極，其中所述輻射源于位于所述邊饋線的所述饋電點(diǎn)被電性連接于所述接收端。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的抗干擾微波探測模塊，其中所述輻射源于位于所述邊饋線的所述饋電點(diǎn)經(jīng)一電感或電阻被電性連接于所述接收端。

8.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一所述的抗干擾微波探測模塊，其中所述參考地被設(shè)置在所述饋源被供電時(shí)電性連接于對所述饋源供電的所述供電源的正極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的抗干擾微波探測模塊，其中所述參考地被電性連接于所述饋源的正極而在所述饋源被供電時(shí)電性連接于對所述饋源供電的所述供電源的正極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗干擾微波探測模塊，其中所述輻射源于所述輻射源主體的物理中心點(diǎn)以金屬化過孔結(jié)構(gòu)在與所述參考地相連的狀態(tài)被電性連接于所述饋源的正極，以對應(yīng)形成所述輻射源于所述輻射源主體的物理中心點(diǎn)被電性連接于所述饋源的正極的狀態(tài)。