[實(shí)用新型]一種納米開關(guān)器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202021728201.0 | 申請日： | 2020-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN212907751U | 公開（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 左朋;汪洋;賈曉云;楊浩軍;王曉暉;丁國建;張宇超;馮琦;王海玲;賈海強(qiáng);陳弘 | 申請（專利權(quán)）人： | 松山湖材料實(shí)驗室 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 呂露 |
| 地址： | 523000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 開關(guān) 器件 | ||
1.一種納米開關(guān)器件，其特征在于，所述納米開關(guān)器件包括依次層疊布置的襯底、緩沖層和溝道層，所述溝道層表面具有V型槽，所述溝道層表面且位于所述V型槽兩側(cè)分別設(shè)置有勢壘層，所述勢壘層表面分別設(shè)置有源極和漏級，所述V型槽表面設(shè)置有鈍化層，所述鈍化層表面設(shè)置有柵極；
所述溝道層的材質(zhì)為GaN基材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米開關(guān)器件，其特征在于，所述V型槽的形狀包括倒置的六角錐形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米開關(guān)器件，其特征在于，所述源極和所述漏級分別以所述V型槽的軸線對稱分布。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米開關(guān)器件，其特征在于，所述鈍化層分別延伸至所述源極和所述柵極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米開關(guān)器件，其特征在于，所述V型槽的最大內(nèi)徑為100～500nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的納米開關(guān)器件，其特征在于，所述緩沖層的材質(zhì)為氮化鋁鎵銦，所述緩沖層的厚度為10～100nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的納米開關(guān)器件，其特征在于，所述溝道層的材質(zhì)為銦氮化稼。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的納米開關(guān)器件，其特征在于，所述溝道層的厚度為300～5000nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的納米開關(guān)器件，其特征在于，所述勢壘層的材質(zhì)為鋁氮化稼，所述勢壘層的厚度為1～100nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的納米開關(guān)器件，其特征在于，所述鈍化層的材質(zhì)為SiO2或SiNx，所述鈍化層的厚度為10～300nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
