[實用新型]一種高精度低噪聲模擬開關(guān)的輸入級電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021723688.3
• 申請日: 2020-08-18
• 公開（公告）號: CN212850439U
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李柯燁;李愛夫;胡封林
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南中部芯谷科技有限公司
• 主分類號: H03K17/06
• 分類號: H03K17/06
• 代理公司: 北京眾達德權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570
• 代理人: 劉杰

本發(fā)明公開了一種高精度低噪聲模擬開關(guān)的輸入級電路，包括晶體管MP1和晶體管MN1，所述晶體管MP1的柵極連接晶體管MN1的柵極和輸入端IN，晶體管MP1的源極連接晶體管MP2的源極、晶體管MP3的源極和第一參考電源V1，晶體管MP1漏極連接晶體管MN1的漏極、晶體管MP2的柵極和晶體管MN2的柵極，本發(fā)明高精度低噪聲模擬開關(guān)的輸入級電路能夠?qū)崿F(xiàn)模擬信號不失真的傳輸并抑制噪聲，并且還能降低模擬開關(guān)電路的導(dǎo)通電阻。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種高精度低噪聲模擬開關(guān)的輸入級電路。

背景技術(shù)

近年來，便攜式產(chǎn)品越來越多地采用多源設(shè)計，因此開關(guān)功能是視頻、音頻傳輸及處理過程中的一個重要組成部分。早期采用的機械開關(guān)具有可靠性低、體積大、功耗大的特點，所以模擬開關(guān)引起了越來越多人的重視，并已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中。

模擬開關(guān)是利用模擬器件的特性實現(xiàn)控制信號通路的開關(guān)，主要用來完成信號鏈路連接或斷開的切換功能。模擬開關(guān)是一種三穩(wěn)態(tài)電路，它可以根據(jù)選通控制的電平，決定輸入與輸出的連接狀態(tài)。當(dāng)選通控制處于使能狀態(tài)時，輸入端和輸出端導(dǎo)通；當(dāng)選通控制處于非使能狀態(tài)時，輸入和輸出斷開，無論輸入信號如何變化，模擬開關(guān)輸出均呈高阻狀態(tài)。

信號在模擬開關(guān)傳輸過程中一般希望衰減程度盡可能的小，這就要求模擬開關(guān)導(dǎo)通時有很低的導(dǎo)通阻抗，在截止時有很大的截止電阻。通常通過增大器件的尺寸來減低導(dǎo)通電阻，但這種方法會帶來功耗增大等弊端。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種高精度低噪聲模擬開關(guān)的輸入級電路，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種高精度低噪聲模擬開關(guān)的輸入級電路，包括晶體管MP1和晶體管MN1，所述晶體管MP1的柵極連接晶體管MN1的柵極和輸入端IN，晶體管MP1的源極連接晶體管MP2的源極、晶體管MP3的源極和第一參考電源V1，晶體管MP1漏極連接晶體管MN1的漏極、晶體管MP2的柵極和晶體管MN2的柵極，晶體管MN1的源極連接晶體管MN2的源極、第二參考電源V0、晶體管MN5的襯底、晶體管MN6的柵極、晶體管MN6的襯底、晶體管MN3的襯底和晶體管MN4的源極，晶體管MP3的柵極連接晶體管MN3的柵極和晶體管MN5的漏極，晶體管MP3的漏極連接晶體管MP4的源極和晶體管MP5的襯底，晶體管MN3的源極連接晶體管MN4的漏極和晶體管MN7的襯底，晶體管MP5的漏極連接晶體管MN5的柵極、晶體管MN7 的漏極和輸出端OUT。

作為本發(fā)明的進一步技術(shù)方案：所述晶體管MP1和晶體管MN1構(gòu)成第一反相器。

作為本發(fā)明的進一步技術(shù)方案：所述晶體管MP5、晶體管MN7并聯(lián)構(gòu)成一個傳輸門，兩個晶體管的源極共同作為輸入端。

作為本發(fā)明的進一步技術(shù)方案：所述晶體管MP5、晶體管MN7并聯(lián)構(gòu)成一個傳輸門，兩個晶體管的源極共同作為輸入端，漏極共同作為輸出端。

作為本發(fā)明的進一步技術(shù)方案：所述第一參考電源V1為一恒定的+5V電壓，所述第二參考電源V0為一恒定的-5V電壓。

作為本發(fā)明的進一步技術(shù)方案：所述晶體管MP1、晶體管MP2、晶體管MP3、晶體管MP4、晶體管MP5均是P型增強型場效應(yīng)管。

作為本發(fā)明的進一步技術(shù)方案：所述晶體管MN1、晶體管MN2、晶體管MN3、晶體管MN4、晶體管MN5、晶體管MN6、晶體管MN7均是N型增強型場效應(yīng)管。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明高精度低噪聲模擬開關(guān)的輸入級電路能夠?qū)崿F(xiàn)模擬信號不失真的傳輸并抑制噪聲，并且還能降低模擬開關(guān)電路的導(dǎo)通電阻。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的原理圖。

具體實施方式