[實用新型]研磨后清洗裝置和化學機械研磨設備

有效

• 申請號: 202021645116.8
• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN213349873U
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 李武祥;金文祥;朱冬祥;程建秀
• 申請（專利權）人: 合肥晶合集成電路股份有限公司
• 主分類號: B08B1/04
• 分類號: B08B1/04;B08B3/02;B08B13/00;H01L21/67;B24B37/04;B24B37/34;B24B57/02;B24B57/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種研磨后清洗裝置，其特征在于，包括：

基片支撐結構，用于夾持研磨后的半導體基片，所述半導體基片具有正面和背面；

第一滾刷和第二滾刷，分別設置于所述半導體基片的正面側和背面側；

第一滾刷清潔模塊，包括酸液供給槽和進液口連接所述酸液供給槽的第一噴淋管路，所述第一噴淋管路的噴液方向朝向所述第一滾刷和所述第二滾刷；

第二滾刷清潔模塊，包括堿液供給槽和進液口連接所述堿液供給槽的第二噴淋管路，所述第二噴淋管路的噴液方向朝向所述第一滾刷和所述第二滾刷。

2.如權利要求1所述的研磨后清洗裝置，其特征在于，所述研磨后清洗裝置還包括：

第三滾刷清潔模塊，包括去離子水噴頭，所述去離子水噴頭朝向所述第一滾刷和所述第二滾刷。

3.如權利要求1所述的研磨后清洗裝置，其特征在于，所述第一噴淋管路和所述第二噴淋管路中的一個的出液口位于所述半導體基片的正面側，另一個的出液口位于所述半導體基片的背面側；或者，所述第一噴淋管路和所述第二噴淋管路的出液口位于所述半導體基片的同一側。

4.如權利要求1所述的研磨后清洗裝置，其特征在于，所述第一噴淋管路和所述第二噴淋管路中的至少一個具有兩個出液口，所述兩個出液口分別朝向所述第一滾刷和所述第二滾刷。

5.如權利要求4所述的研磨后清洗裝置，其特征在于，所述出液口的朝向與所述半導體基s片的正面的夾角為45度～60度。

6.如權利要求1所述的研磨后清洗裝置，其特征在于，所述酸液供給槽和所述堿液供給槽內設置有PH值傳感器。

7.一種化學機械研磨設備，其特征在于，包括如權利要求1～6任一項所述的研磨后清洗裝置。

8.如權利要求7所述的化學機械研磨設備，其特征在于，所述化學機械研磨設備包括酸液回收槽、酸液提純裝置、堿液回收槽以及堿液提純裝置，所述酸液提純裝置的進液端連接所述酸液回收槽，所述酸液提純裝置的排液端連接所述酸液供給槽；所述堿液提純裝置的進液端連接所述堿液回收槽，所述堿液提純裝置的排液端連接所述堿液供給槽。

9.如權利要求8所述的化學機械研磨設備，其特征在于，所述酸液提純裝置和/或所述堿液提純裝置包括多個依次連接的過濾器，多個所述過濾器的過濾精度從所述進液端至所述排液端依序提高。

10.如權利要求8所述的化學機械研磨設備，其特征在于，所述化學機械研磨設備還包括液壓泵，所述液壓泵設置于所述酸液回收槽和所述酸液供給槽之間和/或所述堿液回收槽和所述堿液供給槽之間。