[實用新型]一種超結MOSFET管電路

有效

• 申請號: 202021630807.0
• 申請日: 2020-08-07
• 公開（公告）號: CN213426005U
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 周兆勇
• 申請（專利權）人: 維睿電子（深圳）有限公司
• 主分類號: H02M1/00
• 分類號: H02M1/00;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開是關于一種超結MOSFET管電路，涉及電氣變換裝置的零部件技術領域。設置有繞組T1，所述繞組T1與高壓電源HV串聯，繞組T1與超結場效應管Q1串聯接地。本實用新型線路超結場效應管簡單、效率高、溫升低省掉普通場效應管上的散熱器，極大提高生產工藝降低成本，實現自動化作業，可適用于適配器、充電器上。

技術領域

本實用新型公開涉及電氣變換裝置的零部件技術領域，尤其涉及一種超結MOSFET管電路。

背景技術

MOSFET管全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)，MOSFET管具有熱穩定性好、安全工作區大特點。適配器線路采用普通場效應管MOSFET導通電阻大，轉換效率低、溫度高，需在場效應管上加散熱器散熱，工藝復雜成本高，無法自動化作業，外形做大后產品不美觀。

實用新型內容

為克服相關技術中存在的問題，本實用新型公開實施例提供了一種超結MOSFET管電路。所述技術方案如下：

該超結MOSFET管電路設置有繞組T1，所述繞組T1與高壓電源HV串聯，繞組T1與超結場效應管Q1串聯接地。

在一個實施例中，所述超結場效應管Q1采用PNP三極管，驅動芯片的控制信號輸出端接三極管的基極；基極下拉電阻的一端接地，另一端接三極管的基極；受控MOSFET管的控制端接三極管的發射。

在一個實施例中，所述驅動芯片的控制信號輸出端通過基極限流電阻接三極管的基極。

在一個實施例中，所述超結場效應管Q1的集電極通過限流電阻接地。

本實用新型公開的實施例提供的技術方案可以包括以下有益效果：

1、體積小、溫升低省掉場效應管上的散熱器、可以自動化工藝生產效率高。

2、極大提高生產工藝降低成本。

當理解的是，以上的一般描述和后文的細節描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實施例，并與說明書一起用于解釋本公開的原理。

圖1是本實用新型提供的一種超結MOSFET管電路的原理圖。

具體實施方式

為使本實用新型的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本實用新型。但是本實用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本實用新型內涵的情況下做類似改進，因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。

需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本實用新型所使用的術語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的，并不表示是唯一的實施方式。

除非另有定義，本實用新型所使用的所有的技術和科學術語與屬于本實用新型的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本實用新型中在本實用新型的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本實用新型。本實用新型所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。

該超結MOSFET管電路采用新型超結場效應管MOSFETQ1，導通電阻低、轉換效率極高；溫升明顯低很多，可以省掉普通場效應管上的散熱器，極大提高生產工藝降低成本，實現自動化作業。