[實用新型]一種智能功率模塊

有效

• 申請號: 202021619176.2
• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN212627728U
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 馮鍇雄;楊忠添
• 申請（專利權）人: 廣東匯芯半導體有限公司
• 主分類號: H02M7/5387
• 分類號: H02M7/5387;G01R19/165;H02H7/122
• 代理公司: 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;黃家豪

1.一種智能功率模塊，其特征在于，包括：

基板；

設置于所述基板上的驅動芯片；

設置于所述基板上的逆變器單元，所述逆變器單元包括至少兩組逆變模塊，每組逆變模塊包括兩個三極晶體管，其中一個三極晶體管的漏極與所述基板上的高壓輸入端連接，其源極與另一個三極晶體管的漏極連接，所述另一個三極晶體管的源極與所述基板上的低電壓參考端連接，兩個三極晶體管的柵極均與所述驅動芯片相連；

至少兩路輸出線，所述輸出線一端與每組逆變模塊的上橋臂的源極連接，另一端與所述基板上的輸出端連接；

至少兩個電流探測線圈，所述電流探測線圈穿設于所述輸出線上，并與所述驅動芯片連接。

2.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述驅動芯片內設置有過流保護電路，所述過流保護電路與所述電流探測線圈連接，用于當所述電流探測線圈采集的電流超過設定閾值時，停止工作。

3.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，

所述驅動芯片包括VSS端口、高側輸出端口以及低側輸出端口，所述高側輸出端口有且僅有HO1端口以及HO2端口，所述低側輸出端口有且僅有LO1端口以及LO2端口；

所述逆變器單元有且僅有第一組逆變模塊和第二組逆變模塊，所述第一組逆變模塊包括第一三極晶體管和第二三極晶體管，所述第二組逆變模塊包括第三三極晶體管和第四三極晶體管； 所述第一三極晶體管的柵極與所述HO1端口連接，所述第二三極晶體管的柵極與所述LO1端口連接，所述第三三極晶體管的柵極與所述HO2端口連接，所述第四三極晶體管的柵極與所述LO2端口連接。

4.根據權利要求3所述的智能功率模塊，其特征在于，還包括第一自舉電容；

所述驅動芯片還包括VB1端口以及VS1端口；所述VB1端口通過所述第一自舉電容與所述VS1端口連接。

5.根據權利要求4所述的智能功率模塊，其特征在于，還包括第二自舉電容；

所述驅動芯片還包括VB2端口以及VS2端口；所述VB2端口通過第二自舉電容與所述VS2端口連接。

6.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述三極晶體管為IGBT晶體管、逆導型IGBT晶體管或MOSFET晶體管中的一種。

7.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述三極晶體管均為IGBT晶體管；

每個IGBT晶體管連接有快恢復二極管，所述快恢復二極管的正極與所述IGBT晶體管的源極連接，所述快恢復二極管的負極與所述IGBT晶體管的漏極連接。

8.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，每個三極晶體管的柵極連接一柵極驅動電阻，所述柵極驅動電阻設于所述驅動芯片內部。

9.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述驅動芯片內還設置有過溫保護開關。

10.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述驅動芯片內還設置有過壓保護開關。