[實用新型]TOF測距裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021520243.5
• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN212749253U
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張義榮
• 申請（專利權(quán)）人: 傳周半導(dǎo)體科技（上海）有限公司
• 主分類號: G01S17/10
• 分類號: G01S17/10
• 代理公司: 北京久維律師事務(wù)所 11582
• 代理人: 邢江峰

1.一種TOF測距裝置，其特征在于，包括：

基板，設(shè)置有第一階梯、第二階梯以及第三階梯；

發(fā)射模塊，設(shè)置在所述基板的第一階梯上，用于向目標物發(fā)射光信號；

接收模塊，設(shè)置在所述基板的第二階梯上，用于接收由所述目標物反射回的所述光信號；以及

控制模塊，設(shè)置在所述基板的第三階梯上，用于控制發(fā)射模塊向目標物發(fā)射光信號，并控制接收模塊接收由所述目標物反射回的所述光信號，以及計算所述發(fā)射模塊發(fā)射的所述光信號與所述接收模塊接收到的所述光信號的時間差，并基于所述時間差獲取所述目標物的距離。

2.如權(quán)利要求1所述的TOF測距裝置，其特征在于，所述基板的第一階梯、第二階梯以及第三階梯為一體成型，且所述第一階梯和第二階梯被所述第三階梯隔開。

3.如權(quán)利要求2所述的TOF測距裝置，其特征在于，所述第一階梯和第二階梯具有第一高度，第三階梯具有第二高度，所述第一高度比第二高度高。

4.如權(quán)利要求2所述的TOF測距裝置，其特征在于，所述第一階梯具有第一高度，所述第二階梯具有第二高度，所述第三階梯具有第三高度，所述第三高度比第一高度和第二高度低。

5.如權(quán)利要求1所述的TOF測距裝置，其特征在于，所述基板為玻璃陶瓷基板。

6.如權(quán)利要求1所述的TOF測距裝置，其特征在于，所述基板中設(shè)置有金屬線路，所述發(fā)射模塊、接收模塊通過所述金屬線路與所述控制模塊連接。

7.如權(quán)利要求1所述的TOF測距裝置，其特征在于，所述發(fā)射模塊上方還設(shè)置有擴散膜，用于控制發(fā)射角度。

8.如權(quán)利要求1所述的TOF測距裝置，其特征在于，所述接收模塊上方還設(shè)置有透鏡，用于將光線聚集到所述接收模塊上。

9.如權(quán)利要求8所述的TOF測距裝置，其特征在于，所述透鏡上設(shè)置有納米材料鍍膜，用于增強光線入射。

10.如權(quán)利要求1所述的TOF測距裝置，其特征在于，所述發(fā)射模塊為垂直腔面發(fā)射激光器。

11.如權(quán)利要求10所述的TOF測距裝置，其特征在于，所述垂直腔面發(fā)射激光器的最大光束角為120度。

12.如權(quán)利要求1所述的TOF測距裝置，其特征在于，所述接收模塊為單光子雪崩光電二極管圖像傳感器。

13.如權(quán)利要求12所述的TOF測距裝置，其特征在于，所述單光子雪崩光電二極管圖像傳感器包括128*64像素陣列。

14.如權(quán)利要求13所述的TOF測距裝置，其特征在于，所述單光子雪崩光電二極管圖像傳感器中每顆像素的尺寸為10微米。