[實用新型]高壓脈沖發(fā)生電路和高壓脈沖發(fā)生器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021511240.5
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN212463174U
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 肖威;吳敬元
• 申請（專利權）人: 天津科迪特科技有限責任公司;南京理工大學北方研究院
• 主分類號: H03K3/017
• 分類號: H03K3/017;H03K3/0232;H03K17/687;H03K17/04;H03K3/012;H03K3/013;H02M9/04
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 安衛(wèi)靜

本實用新型提供了一種高壓脈沖發(fā)生電路和高壓脈沖發(fā)生器，包括：脈沖處理電路與第一級推挽電路連接，用于發(fā)出互補的方波脈沖；懸浮電壓升壓電路分別與第一級推挽電路、第二級推挽電路連接，用于為第二級推挽電路進行供電；第一級推挽電路與第二級推挽電路連接，用于在方波脈沖的推動下，產生高壓驅動脈沖；第二級推挽電路，用于在高壓驅動脈沖的推動下，且在懸浮電壓升壓電路供電的情況下，產生目標高壓脈沖，以對高壓控制設備的開關狀態(tài)進行控制。在本實用新型中，采用了懸浮電壓升壓電路一直對第二級推挽電路進行供電，即第二級推挽電路的驅動電壓可以懸浮起來，能實現100％占空比的持續(xù)高壓輸出。

技術領域

本實用新型涉及電路的技術領域，尤其是涉及一種高壓脈沖發(fā)生電路和高壓脈沖發(fā)生器。

背景技術

現有的高壓脈沖發(fā)生電路利用5V數字邏輯電路、高速脈沖整形電路及多種高低壓高速金屬氧化物半導體場效應晶體管為驅動，通過對輸入脈沖的整形、加速、高壓疊加等方式，實現高壓快速脈沖的轉換與生成，從而實現對設備的高速開或者關控制。

在實際的高壓脈沖生成裝置中，如圖1所示，大多數此類脈沖生成器，都不具備DC電壓信號帶寬，其在實現推挽場效應管驅動時，都是采用二極管配合電容的自舉升壓的方式，實現低壓控制高壓側邊的MOS管，但是這種方式具有開關控制的重要缺陷，即無法實現100％占空比的持續(xù)高壓輸出。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型的目的在于提供一種高壓脈沖發(fā)生電路和高壓脈沖發(fā)生器，以緩解現有的高壓脈沖發(fā)生電路無法實現100％占空比的持續(xù)高壓輸出的技術問題。

第一方面，本實用新型實施例提供了一種高壓脈沖發(fā)生電路，包括：脈沖處理電路、懸浮電壓升壓電路、第一級推挽電路和第二級推挽電路；

所述脈沖處理電路與所述第一級推挽電路連接，用于發(fā)出互補的方波脈沖；

所述懸浮電壓升壓電路分別與所述第一級推挽電路、所述第二級推挽電路連接，用于為所述第二級推挽電路進行供電；

所述第一級推挽電路與所述第二級推挽電路連接，用于在所述方波脈沖的推動下，產生高壓驅動脈沖；

所述第二級推挽電路，用于在所述高壓驅動脈沖的推動下，且在所述懸浮電壓升壓電路供電的情況下，產生目標高壓脈沖，以對高壓控制設備的開關狀態(tài)進行控制。

進一步的，所述第一級推挽電路包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管；

所述脈沖處理電路的第一輸出端分別與所述第一MOS管的柵極、所述第二MOS管的柵極連接；

所述脈沖處理電路的第二輸出端分別與所述第三MOS管的柵極、所述第四MOS管的柵極連接，其中，所述脈沖處理電路的第一輸出端和所述脈沖處理電路的第二輸出端輸出的信號互補；

所述第一MOS管的源極與所述第二MOS管的漏極連接，所述第三MOS管的源極與所述第四MOS管的漏極連接，所述第四MOS管的源極接地。

進一步的，所述懸浮電壓升壓電路包括：獨立電源和電容；

所述獨立電源的一端與所述第一MOS管的漏極、所述電容的一端連接，所述獨立電源的另一端與所述第二MOS管的源極、所述電容的另一端連接。

進一步的，所述第二級推挽電路包括：第五MOS管和第六MOS管；

所述第五MOS管的柵極與所述第一MOS管的源極連接，所述第五MOS管的源極與所述第二MOS管的源極、所述第六MOS管的漏極、所述高壓控制設備連接，所述第五MOS管的漏極與可變高壓電源連接；

所述第六MOS管的柵極與所述第三MOS管的源極連接，所述第六MOS管的源極接地。