[實用新型]防漏光的金屬氧化物陣列基板及顯示面板

有效

• 申請號: 202021508544.6
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN212625578U
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 劉翔
• 申請（專利權）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 黃溪;臧建明

1.一種防漏光的金屬氧化物陣列基板，其特征在于，包括襯底基板、設置在所述襯底基板上的器件層和設置在所述器件層上的保護層，所述保護層上設置有限位槽，所述限位槽和所述防漏光的金屬氧化物陣列基板的非顯示區在所述襯底基板的厚度方向上具有重疊區域，所述限位槽用于容置隔墊物，并限制所述隔墊物相對于防漏光的金屬氧化物陣列基板的相對位置。

2.根據權利要求1所述的防漏光的金屬氧化物陣列基板，其特征在于，所述器件層包括薄膜晶體管、掃描線和數據線，所述薄膜晶體管包括在所述襯底基板上依次設置的柵極、緩沖層、半導體圖形、源極和漏極，所述柵極與所述掃描線電連接，所述源極與所述數據線電連接。

3.根據權利要求2所述的防漏光的金屬氧化物陣列基板，其特征在于，所述限位槽和所述掃描線在所述襯底基板的厚度方向上具有重疊區域。

4.根據權利要求3所述的防漏光的金屬氧化物陣列基板，其特征在于，所述掃描線對應于所述限位槽的區域的線寬大于5μm。

5.根據權利要求1-4任一項所述的防漏光的金屬氧化物陣列基板，其特征在于，所述限位槽的槽壁與所述隔墊物的側壁邊緣的距離大于2μm。

6.根據權利要求2-4任一項所述的防漏光的金屬氧化物陣列基板，其特征在于，所述半導體圖形包括依次設置的第一金屬氧化物半導體層和第二金屬氧化物半導體層；

所述第一金屬氧化物半導體層包括非晶氧化物半導體或者多晶氧化物半導體，所述第二金屬氧化物半導體層包括耐腐蝕型金屬氧化物半導體。

7.根據權利要求6所述的防漏光的金屬氧化物陣列基板，其特征在于，所述第一金屬氧化物半導體層的厚度是所述第二金屬氧化物半導體層厚度的2-10倍。

8.根據權利要求1-4任一項所述的防漏光的金屬氧化物陣列基板，其特征在于，所述保護層包括有機絕緣層，所述有機絕緣層為有機化合物。

9.根據權利要求8所述的防漏光的金屬氧化物陣列基板，其特征在于，所述保護層還包括無機絕緣層，所述無機絕緣層位于所述有機絕緣層的上方，所述無機絕緣層為氮化硅或者氧化硅或者氮化硅和氧化硅的疊層結構。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1-9任一項所述的防漏光的金屬氧化物陣列基板。