[實用新型]一種具有鍍率控制功能的蒸鍍源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202021505101.1 | 申請日: | 2020-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN212864944U | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭沂;林志斌 | 申請(專利權(quán))人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;C23C14/54;C23C14/12;H01L51/56 |
| 代理公司: | 福州市景弘專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐劍兵 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 控制 功能 蒸鍍源 | ||
本實用新型公布了一種具有鍍率控制功能的蒸鍍源,包括本體、填料腔和噴嘴,所述填料腔設(shè)置在所述本體內(nèi),用于放置蒸鍍材料,所述噴嘴設(shè)置在所述填料腔的上方的本體處并與所述填料腔連通,還包括鍍率控制裝置,所述鍍率控制裝置設(shè)置在所述填料腔中,所述鍍率控制裝置包括第一鍍率部件和第二鍍率部件,所述第一鍍率部件設(shè)置在所述噴嘴處下方,所述第二鍍率部件設(shè)置在所述第一鍍率部件的一側(cè),所述第一鍍率部件上設(shè)置有多個蒸發(fā)通道,所述第二鍍率部件用于控制第一鍍率部件上的蒸發(fā)通道的大小。上述技術(shù)方案滿足不同蒸鍍制程對蒸鍍鍍率的不同需求,且整體結(jié)構(gòu)容易實現(xiàn),可以提高經(jīng)濟效益,并進一步維持光學(xué)器件中成膜層的均勻性。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及OLED技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種具有鍍率控制功能的蒸鍍源。
背景技術(shù)
有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)又稱有機電激發(fā)光顯示器(Organic Electroluminescence Display,OELD)是當今顯示技術(shù)領(lǐng)域中非常具有發(fā)展前景的一種技術(shù),具有自發(fā)光性、廣視角、高對比、高響應(yīng)速率、和低功耗等優(yōu)勢。
有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)又稱有機電激發(fā)光顯示器(Organic Electroluminescence Display,OELD)是當今顯示技術(shù)領(lǐng)域中非常具有發(fā)展前景的一種技術(shù),具有自發(fā)光性、廣視角、高對比、高響應(yīng)速率和低功耗等優(yōu)勢。
現(xiàn)有技術(shù)中,蒸鍍源內(nèi)的填料腔用于裝填蒸鍍材料(有機材料),通過對蒸鍍材料進行加熱,使得材料升華逸出蒸鍍源鍍到基板上。蒸鍍過程中,蒸鍍材料因局部過熱而噴發(fā)會造成大量的蒸汽,而蒸發(fā)通道的大小一般是一定的,大量的蒸鍍材料的蒸汽會堵塞住蒸發(fā)通道,影響蒸鍍的速率與膜層的均勻性。
實用新型內(nèi)容
為此,需要提供一種具有鍍率控制功能的蒸鍍源,解決蒸鍍材料的蒸汽會堵塞住蒸發(fā)通道的問題。
為實現(xiàn)上述目的,發(fā)明人提供了一種具有鍍率控制功能的蒸鍍源,包括本體、填料腔和噴嘴,所述填料腔設(shè)置在所述本體內(nèi),用于放置蒸鍍材料,所述噴嘴設(shè)置在所述填料腔的上方的本體處并與所述填料腔連通,還包括鍍率控制裝置,所述鍍率控制裝置設(shè)置在所述填料腔中,所述鍍率控制裝置包括第一鍍率部件和第二鍍率部件,所述第一鍍率部件設(shè)置在所述噴嘴處下方,所述第二鍍率部件設(shè)置在所述第一鍍率部件的一側(cè),所述第一鍍率部件上設(shè)置有多個蒸發(fā)通道,所述第二鍍率部件用于控制第一鍍率部件上的蒸發(fā)通道的大小。
進一步地,所述第二鍍率部件上設(shè)置有多個蒸發(fā)通道,所述第二鍍率部件通過移動件與所述填料腔的側(cè)壁連接,所述移動件用于移動所述第二鍍率部件并改變所述第二鍍率部件上的蒸發(fā)通道與所述第一鍍率部件上的蒸發(fā)通道在豎直方向上的重疊程度。
進一步地,所述第一鍍率部件分別設(shè)置在第二鍍率部件的上方和下方,位于第二鍍率部件的上方和下方的第一鍍率部件的蒸發(fā)通道在豎直方向上相對準。
進一步地,所述第一鍍率部件或者所述第二鍍率部件包括有弧度結(jié)構(gòu),弧度結(jié)構(gòu)具有凹陷區(qū),所述弧度結(jié)構(gòu)的凹陷區(qū)設(shè)置在所述蒸發(fā)通道的一側(cè),用于儲存掉落的蒸鍍材料或者用于遮擋蒸鍍材料。
進一步地,第一鍍率部件的下部分設(shè)置有所述弧度結(jié)構(gòu)的凹陷區(qū);或者:所述第二鍍率部件的上部分設(shè)置有所述弧度結(jié)構(gòu)的凹陷區(qū)。
進一步地,還包括噴嘴加熱機構(gòu),所述噴嘴加熱機構(gòu)設(shè)置在所述噴嘴處。
進一步地,所述噴嘴加熱機構(gòu)為電磁加熱機構(gòu)。
進一步地,所述噴嘴為倒梯形。
進一步地,所述第一鍍率部件為鐵合金的第一鍍率部件:或者:所述第二鍍率部件為鐵合金的第二鍍率部件。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





