[實用新型]弱光光譜檢測芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202021502633.X | 申請日: | 2020-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN212363424U | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黃翊東;崔開宇;劉仿;馮雪;張巍 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | G01J3/02 | 分類號: | G01J3/02;G01J3/28 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 周琦 |
| 地址: | 100084 北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 弱光 光譜 檢測 芯片 | ||
1.一種弱光光譜檢測芯片,其特征在于,包括光調制層和光電探測層,所述光調制層包括底板和至少一個調制單元,所述底板平置并連接于所述光電探測層上,每個所述調制單元內分別設有若干個穿于所述底板內的調制孔;所述光電探測層包括若干組探測單元,所述探測單元設置于所述調制單元的下方,每個所述探測單元內分別設有至少一個光電探測器,所述光電探測器用于在入射光射入所述調制單元形成調制光以后,對所述調制光進行弱光檢測,通過對響應信號算法重構以得到重構光譜。
2.根據(jù)權利要求1所述的弱光光譜檢測芯片,其特征在于,所述入射光功率小于1納瓦。
3.根據(jù)權利要求1所述的弱光光譜檢測芯片,其特征在于,所述光電探測器包括雪崩二極管陣列單元、電子倍增CCD以及超導納米線單光子探測器中的任一種。
4.根據(jù)權利要求1所述的弱光光譜檢測芯片,其特征在于,同一所述調制單元內的各個所述調制孔排布成具有排布規(guī)律的二維圖形結構和/或同一所述調制單元內的各個調制孔排布成隨機無序狀態(tài)。
5.根據(jù)權利要求4所述的弱光光譜檢測芯片,其特征在于,所述二維圖形結構的排布規(guī)律包括:
同一所述二維圖形結構內的所有所述調制孔同時具有相同的截面形狀,各個所述調制孔按照結構參數(shù)大小漸變順序成陣列排布;和/或
同一所述二維圖形結構內的各個所述調制孔分別具有各自的截面形狀,各個所述調制孔按照截面形狀進行組合排列。
6.根據(jù)權利要求5所述的弱光光譜檢測芯片,其特征在于,所述調制孔的結構參數(shù)包括內徑、長軸長度、短軸長度、旋轉角度、邊長和角數(shù)中的至少一種。
7.根據(jù)權利要求5所述的弱光光譜檢測芯片,其特征在于,所述調制孔的截面形狀包括圓形、橢圓形、十字形、正多邊形、星形、矩形和隨機不規(guī)則圖形中的至少一種。
8.根據(jù)權利要求1-7任一項所述的弱光光譜檢測芯片,其特征在于,還包括信號處理電路層,所述信號處理電路層平置并連接于所述光電探測層的下面,并將各個所述探測單元之間電連接。
9.根據(jù)權利要求1-7任一項所述的弱光光譜檢測芯片,其特征在于,還包括透光介質層,所述透光介質層位于所述光調制層與所述光電探測層之間。
10.根據(jù)權利要求9所述的弱光光譜檢測芯片,其特征在于,所述光調制層懸空于所述光電探測層上方,以在所述光調制層與所述光電探測層之間形成所述透光介質層。
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