[實用新型]一種新型立體導電的肖特基二極管有效
| 申請號： | 202021494485.1 | 申請日： | 2020-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN212542447U | 公開（公告）日： | 2021-02-12 |
| 發明（設計）人： | 薛濤;關仕漢;遲曉麗 | 申請（專利權）人： | 淄博漢林半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/47;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博川誠知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 37275 | 代理人： | 高鵬飛 |
| 地址： | 255086 山東省淄博市高*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 立體 導電 肖特基 二極管 | ||
1.一種新型立體導電的肖特基二極管，包括N+襯底(10)，所述N+襯底(10)的上表面開設有N-外延(20)，其特征在于：所述N-外延(20)上表面的四周均開設有氧化硅保護層(21)，所述N-外延(20)的中部有源區位置開設有多個有源區溝槽(25)，所述氧化硅保護層(21)的下面位于有源區溝槽(25)的四周開設有1個或多個位于N-外延(20)的終止區溝槽(27)，所述有源區溝槽(25)的內壁及有源區N-外延(20)表面開設有肖特基界面(24)，所述終止區溝槽(27)內壁設有氧化硅絕緣層(23)內部填充有多晶硅(22)，所述N-外延(20)的內部溝槽下方開設有多個P區(26)。
2.根據權利要求1所述的一種新型立體導電的肖特基二極管，其特征在于：所述有源區溝槽(25)的內壁開設有肖特基界面(24)，所述P區內部為通過高能離子注入機注入的硼離子，注入后通過高溫激活P區(26)。
3.根據權利要求1所述的一種新型立體導電的肖特基二極管，其特征在于：所述N-外延(20)的上表面位于終止區溝槽(27)的上方沉積有氧化硅保護層(21)，所述氧化硅保護層(21)的厚度為0.5UM-6UM，所述N+襯底(10)的厚度為150UM-250UM，所述N-外延(20)的厚度1-10um。
4.根據權利要求1所述的一種新型立體導電的肖特基二極管，其特征在于：所述有源區溝槽(25)之間的間距均相等，所述終止區溝槽(27)的寬度大于中部所述有源區溝槽(25)的寬度。
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