[實用新型]一種大溫差晶體生長爐

有效

• 申請號: 202021471812.1
• 申請日: 2020-07-23
• 公開（公告）號: CN212270277U
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發明（設計）人: 吳亮;王琦琨;黃嘉麗;雷丹;李哲;朱如忠;付丹揚;黃毅
• 申請（專利權）人: 奧趨光電技術（杭州）有限公司
• 主分類號: C30B23/02
• 分類號: C30B23/02;C30B29/38
• 代理公司: 杭州宇信知識產權代理事務所(普通合伙) 33231
• 代理人: 王健

1.一種大溫差晶體生長爐，其特征在于，包括：坩堝托臺，放置于坩堝托臺上的坩堝，用于加熱坩堝底部的加熱器，用于冷卻坩堝頂部的伸入式水冷壁，以及圍繞坩堝布置的坩堝保溫部件；其中，所述伸入式水冷壁自爐體水冷壁向下延伸并靠近坩堝頂部，所述坩堝保溫部件用于阻隔所述伸入式水冷壁與加熱器之間的熱傳輸，以及對坩堝進行保溫，所述坩堝托臺為可移動式坩堝托臺，用于托舉坩堝在豎直方向上下移動并控制坩堝的軸向位置；還包括上下溫度監控儀，用于監測所述坩堝上下表面中心處的溫度。

2.如權利要求1所述的大溫差晶體生長爐，其特征在于，所述伸入式水冷壁包括伸入部，連接伸入部與爐體水冷壁的連接部，以及用于驅動伸入部在豎直方向上下移動的驅動部；其中，所述連接部為可變形連接部。

3.如權利要求2所述的大溫差晶體生長爐，其特征在于，所述伸入部為雙層結構，中間通入循環冷卻水，且底壁離坩堝頂部表面的距離大于0.1mm。

4.如權利要求1所述的大溫差晶體生長爐，其特征在于，所述加熱器的結構為編織網或板式結構，加熱方式為感應加熱或電阻加熱，加熱形式為底部加熱、側部加熱或組合式加熱形式。

5.如權利要求1所述的大溫差晶體生長爐，其特征在于，所述坩堝保溫部件由耐高溫的金屬材料或陶瓷材料制成，其熱導率小于10W/(m·K)，耐受溫度大于1500℃。

6.如權利要求5所述的大溫差晶體生長爐，其特征在于，所述坩堝保溫部件套裝于所述坩堝側部，并與坩堝外側壁形成間距，所述間距小于坩堝半徑。

7.如權利要求1或5或6所述的大溫差晶體生長爐，其特征在于，所述坩堝保溫部件阻隔所述伸入式水冷壁與加熱器之間的熱傳輸，使得坩堝頂部與底部之間形成大于300℃的溫差。

8.如權利要求7所述的大溫差晶體生長爐，其特征在于，還包括外圍保溫部件，所述外圍保溫部件為包括上屏、側屏和下屏的鎢保溫屏，或者是由耐高溫金屬或陶瓷保溫材料或其組合構成的保溫結構。