[實用新型]一種雙APD器件有效
| 申請號: | 202021397200.2 | 申請日: | 2020-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN212848418U | 公開(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發明(設計)人: | 鄭光輝;張紹榮;程平;尹倩 | 申請(專利權)人: | 武漢六九傳感科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0203 | 分類號: | H01L31/0203;H01L31/02 |
| 代理公司: | 武漢智嘉聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 黃君軍 |
| 地址: | 430073 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 apd 器件 | ||
本實用新型公開了一種雙APD器件,其包括第一雪崩二極管、第二雪崩二極管、溫控裝置、管殼以及安裝塊,其中:第一光纖與第一雪崩二極管耦合,第二光纖與第二雪崩二極管耦合;溫控裝置用于測量并調整第一雪崩二極管以及第二雪崩二極管處的溫度;管殼內形成腔體,第一雪崩二極管以及第二雪崩二極管均背離于安裝塊、分別設置于安裝塊兩側面,并均與安裝塊固定連接。本實用新型采用了雙APD封裝在一個管殼內,溫控裝置接受溫度傳感器測得的溫度來驅動半導體制冷器,使腔體內溫度保持定值。第一雪崩二極管以及第二雪崩二極管均背離安裝塊設置,可以減少分別與之耦合的第一光纖以及第二光纖之間的串擾。
技術領域
本實用新型涉及傳感器技術領域,具體的涉及一種雙APD器件。
背景技術
APD(雪崩二極管,Avalanche Photodiode)芯片接受光纖的光信號并輸出電信號,但是由于APD芯片性能受溫度影響大,都需要對其進行溫度控制,使APD芯片性能保持一定,現有技術中一般APD芯片都是單一封裝和溫度控制,當需要雙路信號傳輸時,APD芯片處于不同環境,因此兩個APD芯片受環境溫度影響不同,因此傳輸信號會受到較大影響,例如分布式光纖溫度傳感器,可以用兩個APD分別接收斯托克斯光和反斯托克斯光,通過計算兩個光之間的關系來測量溫度,如果兩個光接收器(即APD)在不同環境下性能不一致,會導致測溫精度降低。原來都是單通道的,且一般沒采用TEC(半導體制冷器,Thermo ElectricCoole)制冷器控溫,或者兩個單獨溫控的APD器件,導致兩個APD受環境影響不一致,給光纖信號解調帶來困擾。
因此亟需一種雙路信號傳輸信號影響小的APD器件。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服上述技術不足,提供雙APD器件,用于解決現有技術中雙路光纖信號傳輸時APD受不同環境影響性能相差大的問題。
為達到上述技術目的,本實用新型的技術方案如下:一種雙APD器件,其包括第一雪崩二極管、第二雪崩二極管、溫控裝置、管殼以及安裝塊,其中:管殼內形成腔體,安裝塊設置在腔體內且與管殼固定連接,第一雪崩二極管以及第二雪崩二極管均背離于安裝塊與安裝塊固定連接,且第一雪崩二極管以及第二雪崩二極管分別設置于安裝塊兩側面;第一光纖與第一雪崩二極管耦合,第二光纖與第二雪崩二極管耦合;溫控裝置用于測量并調整第一雪崩二極管以及第二雪崩二極管處的溫度。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果包括:采用了雙APD封裝在一個管殼內,溫控裝置使腔體內溫度保持穩定值,且環境溫度變化時,第一雪崩二極管以及第二雪崩二極管的特性保持不變或者變化一致。第一雪崩二極管以及第二雪崩二極管均背離安裝塊設置,可以減少分別與之耦合的第一光纖以及第二光纖之間的串擾。
附圖說明
圖1是本實用新型提供的雙APD器件內部結構的正視圖;
圖2是本實用新型提供的雙APD器件內部結構的俯視圖;
圖3是本實用新型提供的雙APD器件的溫控裝置的控制架構圖;
附圖標記:1-第一雪崩二極管、2-第二雪崩二極管、3-溫控裝置、4-管殼、5-安裝塊、6-第一光纖、7-第二光纖、8-熱沉、31-溫度傳感器、32-半導體制冷器、33-溫控芯片、41-腔體。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。
請參閱圖1和圖2,本實施例提供了一種雙APD器件,與第一光纖6以及第二光纖7連接,其包括第一雪崩二極管1、第二雪崩二極管2、溫控裝置3、管殼4以及安裝塊5,其中:
第一光纖6與第一雪崩二極管1耦合,第二光纖7與第二雪崩二極管2耦合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





