[實用新型]單穩態電路和延遲單元

有效

• 申請號: 202021199209.2
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN213152021U
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: M·扎姆普羅戈諾;A·塔杰法
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H03K3/0232
• 分類號: H03K3/0232;H03K3/64;H03K3/012;H03K3/017;G01S17/10;G01S7/484
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

1.一種單穩態電路，其特征在于，包括：

延遲單元，包括：

基準反相器，所述基準反相器的輸入被耦合至所述基準反相器的輸出，并且所述基準反相器被配置為生成閾值電壓；

基準電流發生器，被配置為根據所述閾值電壓和工藝、電壓和溫度PVT不變電阻來生成基準電流；以及

延遲塊，包括：

輸出電容器；以及

輸出電路，被配置為響應于輸入信號，根據所述基準電流來改變在所述輸出電容器上存儲的電荷量；

輸出反相器，具有輸入并且具有輸出，所述輸出反相器的所述輸入被耦合到所述延遲塊的所述輸出電路；以及

邏輯電路，被配置為將所述輸出反相器的所述輸出與所述輸入信號進行邏輯組合以生成單穩態觸發脈沖。

2.根據權利要求1所述的單穩態電路，其特征在于，所述延遲塊的所述輸出電路包括：

電流源，被配置為響應于輸入信號的第一邏輯狀態而向所述輸出電容器發出所述基準電流；以及

電流宿，被配置為響應于所述輸入信號的第二邏輯狀態，從所述輸出電容器汲取電流，以使所述輸出電容器放電。

3.根據權利要求1所述的單穩態電路，其特征在于，

其中所述延遲塊的所述輸出電路包括：

第一p溝道晶體管，具有源極、漏極和柵極，所述第一p溝道晶體管的所述源極被耦合以接收所述基準電流，所述第一p溝道晶體管的所述柵極被耦合以接收所述輸入信號；

第二p溝道晶體管，具有源極、漏極和柵極，所述第二p溝道晶體管的所述源極被耦合到所述第一p溝道晶體管的所述源極，所述第二p溝道晶體管的所述漏極被耦合到接地，所述第二p溝道晶體管的所述柵極被耦合以接收所述輸入信號的互補；以及

n溝道晶體管，具有漏極、源極和柵極，所述n溝道晶體管的所述漏極被耦合到所述第一p溝道晶體管的所述漏極，所述n溝道晶體管的所述源極被耦合到接地，所述n溝道晶體管的所述柵極被耦合以接收所述輸入信號；并且

其中所述輸出電容器被耦合在所述n溝道晶體管的所述漏極與接地之間。

4.根據權利要求3所述的單穩態電路，其特征在于，所述延遲塊的所述輸出電路還包括輸出反相器，所述輸出反相器具有與所述n溝道晶體管的所述漏極耦合的輸入、以及與所述輸出反相器耦合的輸出。

5.根據權利要求3所述的單穩態電路，其特征在于，

其中所述基準電流發生器包括：

基準電壓發生器，被配置為生成基準電壓；

第一跨導放大器，具有被耦合以接收所述基準電壓的第一輸入、被耦合以接收反饋電壓的第二輸入、以及輸出；

PVT不變電阻；

n溝道晶體管，具有漏極、源極和柵極，所述n溝道晶體管的所述源極被耦合到所述PVT不變電阻，所述n溝道晶體管的所述柵極被耦合到所述第一跨導放大器的所述輸出，其中所述PVT不變電阻被耦合在所述n溝道晶體管的所述源極和接地之間；

p溝道晶體管，具有源極、漏極和柵極，所述p溝道晶體管的所述源極被耦合到電源電壓，所述p溝道晶體管的所述漏極被耦合到所述基準電流發生器的所述n溝道晶體管的所述漏極，所述p溝道晶體管的所述柵極被耦合到所述基準電流發生器的所述p溝道晶體管的所述漏極；并且

其中所述延遲塊包括第三p溝道晶體管，所述第三p溝道晶體管具有源極、漏極和柵極，所述第三p溝道晶體管的所述源極被耦合到所述電源電壓，所述第三p溝道晶體管的所述漏極被耦合到所述延遲塊的所述輸出電路的所述第一p溝道晶體管的所述源極，所述第三p溝道晶體管的所述柵極被耦合到所述基準電流發生器的所述p溝道晶體管的所述柵極。

6.根據權利要求5所述的單穩態電路，其特征在于，所述PVT不變電阻包括：

基準電阻發生器，被配置為基于帶隙電流和帶隙電壓來生成基準電阻；以及

復制電阻發生器，被耦合至所述基準電阻發生器，并且被配置為生成針對所述PVT不變電阻的、與所述基準電阻的電阻值相等的電阻值。