[實用新型]過壓和浪涌保護電路以及電子設備有效
| 申請號: | 202021191179.0 | 申請日: | 2020-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN212380941U | 公開(公告)日: | 2021-01-19 |
| 發明(設計)人: | 王雪 | 申請(專利權)人: | 無錫聞泰信息技術有限公司 |
| 主分類號: | H02H9/02 | 分類號: | H02H9/02;H02H9/04 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 浪涌 保護 電路 以及 電子設備 | ||
1.一種過壓和浪涌保護電路,其具有接收輸入電壓的第一端和生成輸出電壓的第二端,其特征在于,所述保護電路包括穩壓管、分壓電路、第一電子開關、第二電子開關、第三電子開關以及第三電阻和第四電阻,所述穩壓管的正極接地,所述穩壓管的負極連接至所述第一端;所述第三電子開關的控制端通過分壓電路連接至第一端,所述第三電子開關的輸入端連接至第二電子開關的控制端,所述第三電子開關的輸出端以及第二電子開關的輸出端均接地,所述第三電阻的一端連接至第一端,所述第三電阻的另一端連接至第二電子開關的控制端,所述第二電子開關的輸入端通過第四電阻連接至第一電子開關的控制端,所述第一電子開關的輸入端和輸出端分別連接至第一端和第二端。
2.如權利要求1所述的保護電路,其特征在于,所述第一電子開關、第二電子開關以及第三電子開關均為三極管、MOS管、繼電器、以及可控硅中的任一種。
3.如權利要求2所述的保護電路,其特征在于,所述第一電子開關、第二電子開關以及第三電子開關分別為PMOS管Q1、NMOS管Q2以及NMOS管Q3;所述第一電子開關的控制端、輸入端和輸出端分別對應PMOS管Q1的柵極、源極和漏極;所述第二電子開關的控制端、輸入端和輸出端分別對應NMOS管Q2的柵極、漏極和源極;所述第三電子開關的控制端、輸入端和輸出端分別對應NMOS管Q3的柵極、漏極和源極。
4.如權利要求1-3任一項所述的保護電路,其特征在于,所述分壓電路包括第一電阻和第二電阻,所述第一電阻和第二電阻串聯后的一端連接至所述第一端,所述串聯后的另一端接地,所述第三電子開關的控制端連接至第一電阻和第二電阻之間。
5.如權利要求1-3任一項所述的保護電路,其特征在于,所述保護電路還包括濾波電路,所述濾波電路的一端連接至第一電子開關的輸出端和第二端之間,所述濾波電路的另一端接地。
6.如權利要求5所述的保護電路,其特征在于,所述濾波電路包括一個或多個濾波電容,當采用多個濾波電容時,所述多個濾波電容并聯后的一端連接至第一電子開關的輸出端和第二端之間,所述并聯后的另一端接地。
7.一種電子設備,其特征在于,其包括電源、電子設備本體以及權利要求1-6任一項所述的保護電路,所述第一端連接至所述電源,所述第二端連接至所述電子設備本體。
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