[實(shí)用新型]一種承片臺(tái)及晶圓加工系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202021142203.1
• 申請(qǐng)日: 2020-06-18
• 公開（公告）號(hào): CN212434596U
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃小華;謝建;黃俊;王鳳嬌;陳際舟;文朝軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/687
• 分類號(hào): H01L21/687;H01L21/67;C30B25/12
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

本申請(qǐng)公開了一種承片臺(tái)及晶圓加工系統(tǒng)，以解決晶圓外延后的背面硅渣問題，提升晶圓外延后的產(chǎn)品質(zhì)量，該承片臺(tái)包括第一承載臺(tái)和第二承載臺(tái)，其中，所述第一承載臺(tái)和所述第二承載臺(tái)通過連接結(jié)構(gòu)相連，所述第一承載臺(tái)和所述第二承載臺(tái)中的一個(gè)承載待加工的晶圓，另一個(gè)承載已加工的晶圓。該承片臺(tái)通過第一承載臺(tái)和第二承載臺(tái)實(shí)現(xiàn)雙通道設(shè)計(jì)，使晶圓在中轉(zhuǎn)時(shí)將待加工的晶圓和已加工的晶圓進(jìn)行分流，避免了已加工的晶圓對(duì)待加工的晶圓的影響，有助于提高產(chǎn)品的質(zhì)量及性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體硅外延技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種承片臺(tái)以及晶圓加工系統(tǒng)。

背景技術(shù)

隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各電子元件及芯片的集成密度不斷上升，尺寸越來越小，晶圓進(jìn)行硅外延所要求的精度也越來越高。硅外延是指在具有一定晶向的硅單晶襯底上生長一層具有和襯底相同晶向的電阻率與厚度不同的晶格結(jié)構(gòu)完整性好的晶體。背面硅渣，是硅外延領(lǐng)域中難以回避的問題，硅外延誕生的時(shí)候背面硅渣就隨之而來。

晶圓進(jìn)行硅外延的過程是在高溫下利用氫氣還原硅的氯化物生成硅單質(zhì)，并沉積在晶圓表面。而背面硅渣，是在晶圓進(jìn)行硅外延過程中同時(shí)在晶圓的背面也生長了硅單質(zhì)，且主要集中分布在晶圓背面邊緣寬約5mm的環(huán)狀帶內(nèi)。背面硅渣形成后，晶圓產(chǎn)生不平整，嚴(yán)重影響后續(xù)的光刻質(zhì)量。部分現(xiàn)有技術(shù)選擇在晶圓進(jìn)行硅外延后再對(duì)晶圓背面進(jìn)行人工打磨，但該方法嚴(yán)重影響晶圓表面的清潔度，且需要耗費(fèi)更多的清洗成本來對(duì)打磨后的晶圓進(jìn)行清洗處理。

通過大量的試驗(yàn)及理論分析，發(fā)現(xiàn)背面硅渣呈現(xiàn)以下特點(diǎn)：1、集中分布在晶圓背面邊緣寬約5mm的環(huán)狀帶內(nèi)；2、每片2～3處呈塊狀密集分布，且在每片晶圓上的位置相同；3、對(duì)承片臺(tái)進(jìn)行清潔后，背面硅渣消失，但隨著加工片數(shù)增多，背面硅渣又逐漸聚集。綜合背面硅渣的特點(diǎn)，并結(jié)合外延前及外延后的晶圓都通過承片臺(tái)進(jìn)行中轉(zhuǎn)的步驟，可以得出：外延后的晶圓背面邊緣的少量硅渣顆粒在承片臺(tái)中轉(zhuǎn)時(shí)，附著在承片臺(tái)上，污染了承片臺(tái)的承載面；設(shè)備在裝下一片晶圓時(shí)，未外延的晶圓背面在承片臺(tái)上粘附了上次中轉(zhuǎn)時(shí)殘留在承片臺(tái)上的硅渣顆粒；外延后背面硅渣的嚴(yán)重程度增加，取片時(shí)掉在承片臺(tái)上的硅渣顆粒更多，如此往復(fù)，形成惡性循環(huán)。

因此，為了提高產(chǎn)品質(zhì)量并控制生產(chǎn)成本，設(shè)計(jì)一種可以預(yù)防和改善晶圓背面硅渣的技術(shù)方案是現(xiàn)階段亟需解決的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于上述問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種承片臺(tái)及晶圓加工系統(tǒng)，通過第一承載臺(tái)和第二承載臺(tái)實(shí)現(xiàn)雙通道設(shè)計(jì)，使晶圓在中轉(zhuǎn)時(shí)將待加工的晶圓和已加工的晶圓進(jìn)行分流，避免了已加工的晶圓對(duì)待加工的晶圓造成影響，有助于提高硅外延的質(zhì)量及性能，進(jìn)一步地，第一承載臺(tái)和第二承載臺(tái)為一體式設(shè)計(jì)，還可設(shè)置相應(yīng)的吹掃裝置對(duì)承載臺(tái)進(jìn)行吹掃，保證承載面的清潔。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本實(shí)用新型的一方面，本實(shí)用新型提供一種承片臺(tái)，其特征在于，包括第一承載臺(tái)和第二承載臺(tái)，其中，所述第一承載臺(tái)和所述第二承載臺(tái)通過連接結(jié)構(gòu)相連，所述第一承載臺(tái)和所述第二承載臺(tái)中的一個(gè)承載待加工的晶圓，另一個(gè)承載已加工的晶圓。

優(yōu)選地，所述第一承載臺(tái)位于所述第二承載臺(tái)的上方。

優(yōu)選地，所述第一承載臺(tái)和所述第二承載臺(tái)之間具有空腔，所述空腔的高度不小于2cm。

優(yōu)選地，所述第一承載臺(tái)和所述第二承載臺(tái)還包括凹口，所述凹口與機(jī)械手相匹配，便于晶圓的放置和拾取。

優(yōu)選地，所述凹口為矩形、圓角矩形、扇形中的任意一種。

優(yōu)選地，所述連接結(jié)構(gòu)包括凸緣，所述凸緣位于所述第一承載臺(tái)和所述第二承載臺(tái)的側(cè)面。

優(yōu)選地，所述承片臺(tái)包括至少兩個(gè)承載臺(tái)，每個(gè)所述承載臺(tái)僅承載待加工的晶圓或已加工的晶圓中的一種。

優(yōu)選地，所述第一承載臺(tái)與所述第二承載臺(tái)的形狀和尺寸相同。