[實用新型]背照式圖像傳感器芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202021122867.1 | 申請日： | 2020-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN213519955U | 公開（公告）日： | 2021-06-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李杰;趙立新;付文;許樂;李瑋 | 申請（專利權）人： | 格科微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 背照式 圖像傳感器 芯片 | ||
1.一種背照式圖像傳感器芯片，其特征在于，包括：
具有正面和背面的半導體襯底；
位于所述半導體襯底正面的金屬互聯(lián)結構；
位于所述半導體襯底背面的臺階狀通孔或臺階狀溝槽，所述臺階狀通孔或臺階狀溝槽中填充有導電層以形成背面的走線。
2.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器芯片，其特征在于，所述背面的走線與正面的金屬互聯(lián)結構電性連通。
3.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器芯片，其特征在于，還包括：通過所述臺階狀通孔或臺階狀溝槽中的導電層形成的圖像傳感器芯片的焊盤結構。
4.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器芯片，其特征在于，所述臺階狀通孔或臺階狀溝槽包括第一開口和位于所述第一開口中的第二開口，所述第二開口的底部低于第一開口的底部。
5.如權利要求4所述的背照式圖像傳感器芯片，其特征在于，所述導電層與第一開口底部、第一開口側壁、第二開口側壁之間覆蓋有介質層。
6.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器芯片，其特征在于，所述半導體襯底背面的走線區(qū)與有源像素區(qū)、金屬遮蔽區(qū)的表面高度差小于0.5μm。
7.如權利要求4所述的背照式圖像傳感器芯片，其特征在于，所述第一開口的深度未貫穿所述半導體襯底。
8.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器芯片，其特征在于，所述臺階狀通孔或臺階狀溝槽中的導電層包括第一導電層和位于第一導電層上的第二導電層。
9.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器芯片，其特征在于，還包括，位于所述半導體襯底背面的有源像素區(qū)和金屬遮蔽區(qū)中的深溝槽隔離結構。
10.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器芯片，其特征在于，所述半導體襯底中還包括包圍所述臺階狀通孔或臺階狀溝槽的深層P型摻雜阱，以及包圍所述深層P型摻雜阱的深層N型摻雜阱。
11.如權利要求4所述的背照式圖像傳感器芯片，其特征在于，所述第一開口中的導電層將正面的金屬互聯(lián)結構彼此連通。
12.如權利要求11所述的背照式圖像傳感器芯片，其特征在于，所述第二開口中的導電層將正面的金屬互聯(lián)結構彼此連通。
13.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器芯片，其特征在于，還包括：位于所述半導體襯底背面的金屬遮蔽區(qū)周圍的臺階狀通孔或臺階狀溝槽，所述臺階狀通孔或臺階狀溝槽中填充有導電層。
14.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器芯片，其特征在于，還包括：位于所述半導體襯底背面的模擬電路區(qū)周圍的臺階狀通孔或臺階狀溝槽，所述臺階狀通孔或臺階狀溝槽中填充有導電層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
