[實用新型]一種經(jīng)時擊穿測試結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202021108276.9 | 申請日: | 2020-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN212570930U | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王志強 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 擊穿 測試 結構 | ||
1.一種經(jīng)時擊穿測試結構,其特征在于,用于測試不同溫度下金屬間介質(zhì)層的經(jīng)時擊穿參數(shù),包括:測試模塊和加熱模塊;
所述測試模塊位于所述加熱模塊上;所述加熱模塊用于對所述測試模塊加熱;
所述測試模塊的第一端連接第一電壓,所述測試模塊的第二端連接第二電壓,所述第一電壓大于所述第二電壓;
所述測試模塊,用于測試所述金屬間介質(zhì)層的經(jīng)時擊穿參數(shù)。
2.根據(jù)權利要求1所述的結構,其特征在于,所述測試結構至少包括第一金屬和第二金屬,所述第一金屬和所述第二金屬相互平行相對設置;
則所述測試結構的第一端連接第一電壓,所述測試結構的第二端連接第二電壓具體為:
所述第一金屬連接第一電壓,所述第二金屬連接第二電壓,所述第二金屬用于獲取所述測試結構的溫度。
3.根據(jù)權利要求2所述的結構,其特征在于,所述第一金屬包括第一襯墊和至少一個第一金屬層,每個所述第一金屬層均平行相對且與所述第一襯墊垂直連接;
所述第二金屬包括第二襯墊和至少兩個第二金屬層,每個所述第二金屬層均平行相對且通過所述第二襯墊串聯(lián)連接;
所述第一金屬和所述第二金屬平行相對具體為:
所述第一襯墊與所述第二襯墊平行相對,每個所述第一金屬層平行鑲嵌于對應的兩個所述第二金屬層中。
4.根據(jù)權利要求3所述的結構,其特征在于,所述測試結構包括第三金屬;所述第三金屬與所述第一金屬和所述第二金屬相互平行相對設置,且所述第二金屬位于所述第一金屬和所述第三金屬之間;
則所述測試結構的第一端連接第一電壓,所述測試結構的第二端連接第二電壓具體為:
所述第一金屬和所述第三金屬均連接所述第一電壓,所述第二金屬連接所述第二電壓。
5.根據(jù)權利要求4所述的結構,其特征在于,所述第三金屬包括第三襯墊和至少一個第三金屬層,每個所述第三金屬層均平行相對且與所述第三襯墊垂直連接;
所述第三金屬與所述第一金屬和所述第二金屬相互平行相對設置,且所述第二金屬位于所述第一金屬和所述第三金屬之間,具體為:
所述第三襯墊與所述第一襯墊和所述第二襯墊平行相對,每個所述第三金屬層與對應的所述第一金屬層和所述第二金屬層平行鑲嵌,所述第二金屬層位于所述第一金屬層和所述第三金屬層之間。
6.根據(jù)權利要求5所述的結構,其特征在于,所述測試結構的第一端連接第一電壓,所述測試結構的第二端連接第二電壓,包括:
所述第一襯墊與所述第三襯墊均連接所述第一電壓,所述第二襯墊連接所述第二電壓。
7.根據(jù)權利要求1-6任意一項所述的結構,其特征在于,所述加熱模塊為電阻。
8.根據(jù)權利要求7所述的結構,其特征在于,所述電阻為多晶硅網(wǎng)格電阻。
9.根據(jù)權利要求1-6中任意一項所述的結構,其特征在于,所述加熱模塊的面積大于所述測試模塊的面積。
10.根據(jù)權利要求1-6中任意一項所述的結構,其特征在于,所述測試結構位于晶圓的切割道中。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長江存儲科技有限責任公司,未經(jīng)長江存儲科技有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202021108276.9/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





