[實(shí)用新型]一種高耐壓晶閘管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202021106859.8
• 申請(qǐng)日: 2020-06-15
• 公開（公告）號(hào): CN212113727U
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉秋林;徐日旺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇晶中電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/74
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32260
• 代理人: 曹慧萍

1.一種高耐壓晶閘管，其包括殼體、封裝于所述殼體內(nèi)的晶閘管芯片，所述晶閘管芯片為圓形PNPN結(jié)構(gòu)，包括依次布置的陽極摻雜區(qū)P1層、長基區(qū)N1層、門極短基區(qū)P2層及間隔布置的陰極發(fā)射區(qū)N2層，由所述P1層、N2層分別引出鉬片陽極(A)、陰極(K)，所述PNPN結(jié)構(gòu)終端涂覆有保護(hù)膠層，所述晶閘管芯片表面設(shè)有金屬鍍層，所述金屬鍍層還包括由內(nèi)向外依次分布的門極(G)、放大門極、所述陰極(K)，所述門極(G)由所述P2層引出，所述放大門極用于所述N2層與所述P2層連接，所述陰極(K)由所述N2層引出，其特征在于，其還包括短路點(diǎn)，所述短路點(diǎn)貫穿所述N2層，并沿所述N2層均勻間隔分布，相鄰兩個(gè)短路點(diǎn)之間的距離小于等于1.06mm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高耐壓晶閘管，其特征在于：所述放大門極包括至少兩個(gè)，所述放大門極以所述門極(G)為中心呈發(fā)散狀引出。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高耐壓晶閘管，其特征在于：所述放大門極為直線形，所述放大門極包括三個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3任一項(xiàng)所述的一種高耐壓晶閘管，其特征在于：所述PNPN結(jié)構(gòu)的電阻率為230Ω·cm～260Ω·cm，厚度為890μm～910μm，直徑為76.1mm～76.3mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高耐壓晶閘管，其特征在于：所述P1層、P2層均為鋁鎵擴(kuò)散區(qū)，所述鋁、鎵擴(kuò)散后的結(jié)深為120μm～130μm，表面濃度表現(xiàn)為方塊電阻的測(cè)量值范圍為16Ω/Sq～18Ω/Sq。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種高耐壓晶閘管，其特征在于：所述N1層、N2層均為磷摻雜區(qū)，所述磷摻雜區(qū)的結(jié)深為27μm～33μm，表面濃度表現(xiàn)為方塊電阻的測(cè)量值小于等于0.15Ω/Sq。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種高耐壓晶閘管，其特征在于：所述短路點(diǎn)的直徑小于等于0.22mm。