[實(shí)用新型]噴淋式進(jìn)氣CVD的垂直噴淋裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202021104502.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN212713746U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于葛亮;張錦;劉偉銘;康斯坦丁·諾沃舍洛夫;孫正乾;楊金東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無(wú)錫盈芯半導(dǎo)體科技有限公司;北京大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C16/455 | 分類號(hào): | C23C16/455 |
| 代理公司: | 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;涂三民 |
| 地址: | 214187 江蘇省無(wú)錫*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 噴淋 式進(jìn)氣 cvd 垂直 裝置 | ||
1.一種噴淋式進(jìn)氣CVD的垂直噴淋裝置,其特征是:它包括噴淋管(1)與噴淋頭(2),噴淋管(1)的下端部固定有噴淋頭(2),噴淋管(1)的中段為具有螺旋管結(jié)構(gòu)的預(yù)熱區(qū)(11),在噴淋頭(2)的底板上開(kāi)設(shè)有噴淋孔(21)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋式進(jìn)氣CVD的垂直噴淋裝置,其特征是:所述預(yù)熱區(qū)(11)的內(nèi)徑小于噴淋管(1)的上段內(nèi)徑,預(yù)熱區(qū)(11)的內(nèi)徑小于噴淋管(1)的下段內(nèi)徑,噴淋管(1)的上段與下段的內(nèi)徑相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴淋式進(jìn)氣CVD的垂直噴淋裝置,其特征是:在噴淋管(1)的上段的外圓上固定有安裝盤(pán)(3)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋式進(jìn)氣CVD的垂直噴淋裝置,其特征是:在從上往下的方向上,所述噴淋頭(2)的內(nèi)徑呈逐漸增大設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋式進(jìn)氣CVD的垂直噴淋裝置,其特征是:所述噴淋孔(21)的橫截面積之和小于噴淋管(1)的入口端面積。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





