[實用新型]一種超高溫防輻射SIC材料MOSFET原件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021102973.3
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN211907427U
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設計）人: 高嘉鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 固安京儀椿樹整流器有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H01L29/78
• 代理公司: 北京專贏專利代理有限公司 11797
• 代理人: 于剛

1.一種超高溫防輻射SIC材料MOSFET原件，包括原件主體(1)、連接塊(2)和支腳(3)，其特征在于：所述連接塊(2)與支腳(3)之間設置有調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)包括放置槽(4)、連接桿(5)、移動桿(6)、移動塊(7)、彈簧(8)、第一滑槽(9)、轉(zhuǎn)動桿(10)和第二滑槽(11)，所述連接塊(2)內(nèi)部開設有支腳(3)配合的放置槽(4)，所述連接塊(2)內(nèi)部的支腳(3)端貫穿有連接桿(5)，且連接桿(5)上下端皆固定在放置槽(4)上，所述連接桿(5)內(nèi)部皆開設有第一滑槽(9)，且第一滑槽(9)內(nèi)部皆設置有移動桿(6)，所述移動桿(6)底端皆對稱固定有移動塊(7)，所述移動塊(7)與第一滑槽(9)底端皆固定有彈簧(8)，所述支腳(3)上設置有限位結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高溫防輻射SIC材料MOSFET原件，其特征在于：所述原件主體(1)包括隔熱層(111)、防輻射層(112)、耐磨層(113)和C，所述隔熱層(111)內(nèi)側(cè)固定有防輻射層(112)，且防輻射層(112)內(nèi)側(cè)固定有耐磨層(113)，所述耐磨層(113)內(nèi)側(cè)固定有殼體(114)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高溫防輻射SIC材料MOSFET原件，其特征在于：所述限位結(jié)構(gòu)包括固定桿(12)、限位板(13)和限位桿(14)，所述支腳(3)遠離連接塊(2)的一端皆對稱固定有固定桿(12)，且固定桿(12)外端皆固定有限位板(13)，所述限位板(13)內(nèi)側(cè)的支腳(3)頂端皆對稱固定有限位桿(14)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高溫防輻射SIC材料MOSFET原件，其特征在于：所述放置槽(4)的厚度大于支腳(3)的厚度，所述連接塊(2)內(nèi)部的支腳(3)端皆設置為弧形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高溫防輻射SIC材料MOSFET原件，其特征在于：所述支腳(3)內(nèi)側(cè)皆對稱固定有轉(zhuǎn)動桿(10)，所述連接桿(5)外側(cè)皆開設有與轉(zhuǎn)動桿(10)配合的第二滑槽(11)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種超高溫防輻射SIC材料MOSFET原件，其特征在于：所述第二滑槽(11)皆設置為環(huán)形，所述轉(zhuǎn)動桿(10)靠近第二滑槽(11)的一端皆設置為與第二滑槽(11)配合的弧形。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超高溫防輻射SIC材料MOSFET原件，其特征在于：兩側(cè)所述限位板(13)后側(cè)皆與支腳(3)處于同一水平線，所述限位板(13)的寬度大于限位桿(14)和支腳(3)的寬度之和。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超高溫防輻射SIC材料MOSFET原件，其特征在于：所述限位桿(14)皆設置為倒置的“L”形，所述限位桿(14)前端到支腳(3)之間的厚度等于支腳(3)的厚度。