[實用新型]一種測試結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021102544.6
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN211980612U
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孟麗華;王興;李洋
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66;G01R27/02
• 代理公司: 北京市一法律師事務(wù)所 11654
• 代理人: 劉榮娟

1.一種測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

至少兩層層疊分布的離子注入層，所述離子注入層至少包括頂層離子注入層和待測離子注入層，所述待測離子注入層與相鄰的離子注入層電絕緣；

輔助測試層，與所述待測離子注入層和所述頂層離子注入層鄰接，所述輔助測試層與所述待測離子注入層電連通且與鄰接的其他離子注入層電絕緣；

第一導(dǎo)電引線，所述第一導(dǎo)電引線與所述輔助測試層電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述輔助測試層與所述待測離子注入層的摻雜離子類型相同，且與鄰接的其他離子注入層的摻雜離子類型不同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述待測離子注入層與相鄰的離子注入層的摻雜離子類型不同。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述摻雜離子為P型摻雜離子或N型摻雜離子。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第二導(dǎo)電引線，所述第二導(dǎo)電引線與所述頂層離子注入層電相連。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述離子注入層包括層疊分布的頂層離子注入層和第二離子注入層；

所述待測離子注入層為第二離子注入層，所述輔助測試層僅與所述頂層離子注入層和所述第二離子注入層鄰接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二離子注入層的下方還形成有至少一層離子注入層。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述離子注入層包括層疊分布的頂層離子注入層、第二離子注入層和第三離子注入層；

所述待測離子注入層為第三離子注入層，所述輔助測試層與所述頂層離子注入層、所述第二離子注入層以及第三離子注入層鄰接。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述輔助測試層位于所述待測離子注入層和所述頂層離子注入層的側(cè)壁。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述輔助測試層的底面不低于所述待測離子注入層的底面。