[實用新型]一種用于改善刻蝕均勻性的等離子刻蝕裝置

有效

• 申請號: 202021097935.3
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN212303604U
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 韓大健;李娜;馮英雄;車東晨;許開東
• 申請（專利權）人: 北京魯汶半導體科技有限公司
• 主分類號: H01J37/02
• 分類號: H01J37/02;H01J37/305;H01J37/32
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 肖鵬

1.一種用于改善刻蝕均勻性的等離子刻蝕裝置，包括工藝腔室（1）和下電極（2）；所述下電極（2）與工藝腔室（1）的底板上端面相接；其特征在于：還包括多個下工藝氣體通道（4）；所述下工藝氣體通道（4）的進氣端口（401）位于工藝腔室（1）外部；所述下工藝氣體通道（4）的出氣端口（402）靠近下電極（2）上端面外緣。

2.根據權利要求1所述的用于改善刻蝕均勻性的等離子刻蝕裝置，其特征在于：所述下電極（2）的側壁外周套裝有保護環（10）；所述保護環（10）的內壁與下電極（2）的側壁設置有間隙。

3.根據權利要求1或2所述的用于改善刻蝕均勻性的等離子刻蝕裝置，其特征在于：所述下工藝氣體通道（4）開孔設置在下電極（2）與工藝腔室（1）的底板。

4.根據權利要求3所述的用于改善刻蝕均勻性的等離子刻蝕裝置，其特征在于：所述下工藝氣體通道（4）的出氣端口（402）位于下電極（2）的側壁。

5.根據權利要求4所述的用于改善刻蝕均勻性的等離子刻蝕裝置，其特征在于：所述下電極（2）與工藝腔室（1）的底板上端面之間設置有絕緣墊（11）；所述下工藝氣體通道（4）開孔設置在下電極（2）、絕緣墊（11）及工藝腔室（1）的底板。

6.根據權利要求1所述的用于改善刻蝕均勻性的等離子刻蝕裝置，其特征在于：所述下工藝氣體通道（4）僅開孔設置在工藝腔室（1）的底板；所述下工藝氣體通道（4）的出氣端口（402）位于工藝腔室（1）的底板上端面，且靠近所述下電極（2）的側壁。

7.根據權利要求2所述的用于改善刻蝕均勻性的等離子刻蝕裝置，其特征在于：所述下工藝氣體通道（4）僅開孔設置在工藝腔室（1）的底板；所述下工藝氣體通道（4）的出氣端口（402）位于工藝腔室（1）的底板上端面，且位于所述保護環（10）的內壁與下電極（2）的側壁之間的間隙處。

8.根據權利要求1或2所述的用于改善刻蝕均勻性的等離子刻蝕裝置，其特征在于：所述工藝腔室（1）的底板開設有安裝孔；所述下電極（2）外緣的下端面與工藝腔室（1）的底板上端面相接；所述下電極（2）中心處位于安裝孔的正上方；所述下工藝氣體通道（4）僅開孔設置在下電極（2）；所述下工藝氣體通道（4）的進氣端口（401）位于所述下電極（2）中心處的下端面。

9.根據權利要求8所述的用于改善刻蝕均勻性的等離子刻蝕裝置，其特征在于：所述下工藝氣體通道（4）的出氣端口（402）位于下電極（2）的側壁。

10.根據權利要求1所述的用于改善刻蝕均勻性的等離子刻蝕裝置，其特征在于：所述工藝腔室（1）的側壁設置有真空泵（12）；靠近真空泵（12）所在一側的下工藝氣體通道（4）的出氣端口（402）的數量多于遠離真空泵（12）所在一側的下工藝氣體通道（4）的出氣端口（402）的數量。