[實用新型]一種坩堝及保溫層的清潔處理裝置

有效

• 申請號: 202021091653.2
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN212760186U
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 李帥;李乃慶;趙建國;李函朔
• 申請（專利權）人: 山東天岳先進科技股份有限公司
• 主分類號: B08B9/087
• 分類號: B08B9/087;B08B9/08;B08B13/00
• 代理公司: 北京君慧知識產權代理事務所(普通合伙) 11716
• 代理人: 劉德順

本實用新型提供了一種坩堝及保溫層的清潔處理裝置，所述裝置包括：工作臺；彎曲定型桿，所述彎曲定型桿的一端固定在所述工作臺上，所述彎曲定型桿包括第一彎曲定型桿、第二彎曲定型桿和第三彎曲定型桿；吸塵圓筒，所述吸塵圓筒轉動安裝于第一彎曲定型桿上，所述吸塵圓筒的內徑與坩堝的外徑匹配；第一刀片，所述第一刀片轉動安裝于第二彎曲定型桿上；第二刀片，所述第二刀片轉動安裝于第三彎曲定型桿上。通過設置吸塵圓筒、第一刀片和第二刀片，可以實現坩堝、上保溫層和下保溫層的清潔處理，提高了清潔效率和清潔效果，且有效避免了人工處理對坩堝及保溫層造成的損壞的問題。

技術領域

本實用新型涉及一種坩堝及保溫層的清潔處理裝置，屬于清理裝置的技術領域。

背景技術

PVT法生長碳化硅晶體是在密閉的坩堝中進行，坩堝外包裹有保溫層，保溫層包括位于所述坩堝上方的上保溫層、位于所述坩堝下方的下保溫層和位于所述坩堝側壁外的外保溫層。保溫層通常采用石墨氈、石墨紙等耐高溫且的碳材料制備。在長晶過程中，坩堝高溫易造成下保溫層的侵蝕和凹陷，雜質隨原料氣氛擴散沉積到的上保溫層孔洞上，造成上保溫層孔洞的污染，坩堝外壁也會累積很多灰塵。在長晶完成后，需要對坩堝及保溫層上灰塵和雜質進行清理。通常對外保溫層的清理采用普通的毛刷處理。

現有技術中只涉及到對坩堝的清潔處理裝置，對上保溫層和下保溫層的清潔主要采用人工處理，但人工處理存在處理不干凈的問題，清理坩堝及保溫層的使用工具繁多及費時費力。

實用新型內容

為了解決上述問題，本實用新型提供了一種坩堝及保溫層的清潔處理裝置，通過設置吸塵圓筒、第一刀片和第二刀片，用于對坩堝外壁、下保溫層和上保溫層孔洞進行處理，提高了清潔效率，且清潔效果好。

本申請采用的技術方案如下：

本申請提供了一種坩堝及保溫層的清潔處理裝置，所述裝置包括：

工作臺，所述工作臺用于放置待處理的坩堝和/或保溫層，所述保溫層包括上保溫層和下保溫層；

彎曲定型桿，所述彎曲定型桿的一端固定在所述工作臺上，所述彎曲定型桿包括第一彎曲定型桿、第二彎曲定型桿和第三彎曲定型桿；

吸塵圓筒，所述吸塵圓筒轉動安裝于第一彎曲定型桿上，所述吸塵圓筒的內徑與坩堝的外徑匹配；

第一刀片，所述第一刀片轉動安裝于第二彎曲定型桿上，當所述第一刀片的刀刃與工作臺表面平行時，所述第一刀片能夠對下保溫層進行處理；

第二刀片，所述第二刀片轉動安裝于第三彎曲定型桿上，當所述第二刀片的刀刃與工作臺表面垂直時，所述第二刀片能夠對上保溫層孔洞進行處理。

優選地，所述吸塵圓筒內壁設置有毛刷，所述吸塵圓筒與吸塵箱連接。

優選地，所述第一刀片為圓形刀片，所述圓形刀片的底部邊緣設置有刀刃。

優選地，所述圓形刀片的底部中間粘貼有砂紙。

優選地，所述第二刀片為矩形刀片，所述矩形刀片的一側或兩側設置有刀刃，所述矩形刀片的寬度不大于上保溫層上孔洞的直徑。

優選地，所述第一刀片和第二刀片的材質均為不銹鋼。

優選地，所述彎曲定型桿包括支撐短桿和金屬定型軟管，所述支撐短桿的一端固定在工作臺上，另一端與金屬定型軟管連接。

優選地，所述第一彎曲定型桿與吸塵圓筒連接處管路包括內層管路和外層管路，所述吸塵圓筒的吸塵管路設置在外層管路上。

優選地，所述第一彎曲定型桿內安裝有第一微型電機，所述吸塵圓筒通過轉動軸與所述第一微型電機連接；和/或

所述第二彎曲定型桿內安裝有第二微型電機，所述第一刀片通過轉動軸與所述第二微型電機連接；和/或